電勢

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本条目中,向量标量分別用粗體斜體顯示。例如,位置向量通常用 𝐫 表示;而其大小則用 r 來表示。
兩個同性電荷的電場線和等勢線。

静電學裡,電勢(electric potential/ ePtntl)又稱-{zh-cn:电位;zh-tw:電動勢;zh-hk:電位}-(eForce/ eFrc)[1],是描述電場中某一點之能量高低性質的物理純量,操作型定義為“電場中某處的電勢”等於“處於電場中該位置的單位電荷所具有的電勢能[2],單位用伏特

電勢的數值不具有絕對意義,只具有相對意義,因此為了便於分析問題,必須設定一個參考位置,並把它設為零,稱為零勢能點。通常,會把無窮遠處的電勢設定為零。那麼,電勢可以定義如下:假設檢驗電荷從無窮遠位置,經過任意路徑,克服電場力,以緩慢、沒有產生加速度的方式移動到某位置,則在這位置的電勢,等於因移動檢驗電荷所做的與檢驗電荷的電荷量的比值。在國際單位制裏,電位的單位為伏特V=J/C)(Volt),它是為了紀念意大利物理學家亞歷山德羅·伏特(Alessandro Volta)而命名。

電勢必需滿足帕松方程式,同時符合相關邊界條件;假設在某區域內的電荷密度為零,則帕松方程式約化為拉普拉斯方程式,電勢必需滿足拉普拉斯方程式。

電動力學裡,當含時電磁場存在的時候,電勢可以延伸為「廣義電勢」。特別注意,廣義電勢不能被視為電勢能每單位電荷。

簡介

處於外電場帶電粒子會受到外電場施加的作用力,稱為電場力,促使帶電粒子加速運動。對於帶正電粒子,電場力與電場同方向;對於帶負電粒子,電場力與電場反方向。電場力的數值大小與電荷量、電場數值大小成正比。

作用力勢能之間有非常直接的關係。隨著物體朝著作用力的方向的加速運動,物體的動能變大,勢能變小。例如,一個石頭在山頂的重力勢能大於在山腳的重力勢能。隨著物體的滾落,重力勢能變小,動能變大。

對於某種特別作用力,科學家可以定義其向量場和其位勢,使得物體因為這向量場而具有的勢能,只與物體位置、參考位置之間的距離有關。稱這種作用力為保守力,這種向量場為保守場

例如,重力、靜電場的電場力,都是保守力。靜電場的純量勢稱為電勢,或稱為靜電勢

電勢和磁向量勢共同形成一個四維向量,稱為四維勢。從某一個慣性參考系觀察到的四維勢,應用勞侖茲變換,可以計算出另外一個慣性參考系所觀察到的四維勢。

靜電學裏的電勢

在靜電學裏,電場𝐄內某位置𝐫的電勢ϕ,以方程式定義為[2]

ϕ(𝐫) =def UE(𝐫)/q

其中,UE是在位置𝐫檢驗電荷q所具有的電勢能。

電勢能的數值是人為設定的,沒有絕對意義,只有相對於某參考位置的已設定參考值時才有物理意義。假若要設定電勢能在空間任意位置的數值,必須先設定其在某參考位置𝐫0的數值。為了方便運算,假設其參考數值為0。然後,就可以將在位置𝐫的電勢能UE(𝐫)定義為從參考位置𝐫0緩慢地將檢驗電荷q移動至𝐫所需做的機械功W

UE(𝐫) =def W

移動檢驗電荷時所施加的外力𝐅,必須恰巧抵消處於電場𝐄的檢驗電荷q所感受到的電場力q𝐄,即𝐅=q𝐄。其所做機械功等於外力𝐅的路徑積分:

W=𝕃𝐅d=q𝕃𝐄d

其中,𝕃是從參考位置𝐫0到位置𝐫的一條任意路徑,d是微小線元素。

在靜電學裏,×𝐄=0,電場是保守場,所以,在積分時,可以選擇任意路徑𝕃,計算出來的結果都一樣。欲知更詳盡細節,請參閱條目保守力。由於這方程式右邊的路徑積分跟路徑𝕃無關,只跟路徑的初始位置𝐫0、終止位置𝐫有關,因此若能夠假設無窮遠位置的電勢能為0,則可以設定參考位置𝐫0在無窮遠位置

UE(𝐫)=q𝐫𝐄d

所以,電勢就是從無窮遠位置到檢驗位置對於電場做路徑積分所得結果的負值:

ϕ(𝐫)=𝐫𝐄d

在任意兩個位置𝐫1𝐫2之間的「電勢差」Δϕ

Δϕ=ϕ(𝐫2)ϕ(𝐫1)=𝐫1𝐫2𝐄d

由於電場𝐄是保守場,電勢差也與積分路徑無關,只跟積分路徑的初始位置與終止位置有關。

點電荷

由點電荷 Q 所產生的電勢,在距離 r 時,可表示為

V=14πε0Qr

其中,ε0真空電容率

在無限遠處,電勢為零。由多個點電荷產生的電勢,相等於各點電荷所產生的電勢之和。此外,電勢場是純量場,電場則是向量場

疊加原理

電場遵守疊加原理:假設在三維空間裏,由兩組完全不相交的電荷分佈所產生的電場分別為𝐄1𝐄2,則總電場為𝐄t=𝐄1+𝐄2

總電勢為每單位電荷克服電場力所做的機械功之和:

ϕt(𝐫)=𝐫𝐄td=𝐫(𝐄1+𝐄2)d=ϕ1(𝐫)+ϕ2(𝐫)

所以,電勢也遵守疊加原理。當計算一組電荷分佈所產生的電勢時,只需要知道在電荷分佈的每個源位置的單獨電荷所產生在檢驗位置的電勢,就可以應用積分運算,得到整個電荷分佈所產生在檢驗位置的電勢。

電勢的微分方程式

應用積分符號內取微分方法,電勢的梯度

ϕ(𝐫)=𝐫𝐄(𝐫)d=𝐄(𝐫)

所以,電場與電勢之間的關係為

𝐄(𝐫)=ϕ(𝐫)

根據高斯定律的方程式,

𝐄=ρ/ϵ0

其中,ρ電荷密度ϵ0電常數

所以,電勢滿足帕松方程式

2ϕ=ρ/ϵ0

假設電荷密度為零,則這方程式變為拉普拉斯方程式

2ϕ=0

請注意,假若×𝐄0,也就是說,電場不具保守性(由於隨時間變化的磁場造成的效應;參閱馬克士威方程組),則不能使用這些方程式。

由於電勢乃是純量,而電場是具有三個分量的向量,所以,很多時候,使用電勢來解析問題會省去很多運算工作,帶來很大的便利。

拉普拉斯方程式的解答

在某空間區域內,假設電荷密度為零,則電勢必須滿足拉普拉斯方程式,並且符合所有相關邊界條件

邊界條件

在靜電學裏,有三種邊界條件:

  1. 狄利克雷邊界條件:在所有邊界,電勢都已良態給定。具有這種邊界條件的問題稱為狄利克雷問題
  2. 紐曼邊界條件:在所有邊界,電勢的法向導數都已良態給定。具有這種邊界條件的問題稱為紐曼問題
  3. 混合邊界條件:一部分邊界的電勢都已良態給定,其它邊界的電勢的法向導數也已良態給定。

根據拉普拉斯方程式的Template:Le,對於這些種類的邊界條件,拉普拉斯方程式的解答都具有唯一性。所以,只要找到一個符合邊界條件的解答,則這解答必定為正確解答。

分離變數法

應用分離變數法來解析拉普拉斯方程式,可以將問題的偏微分方程式改變為一組較容易解析的常微分方程式。對於一般問題,通常會採用直角坐標系、圓柱坐標系或球坐標系來分離拉普拉斯方程式。但是,對於其它比較特別的問題,另外還有八種坐標系可以用來分離拉普拉斯方程式。[3]分離之後,找到每一個常微分方程式的通解(通常為一組本徵方程式的疊加),電勢可以表達為這些通解的乘積。將這表達式與邊界條件相匹配,就可以設定一般解的係數,從而找到問題的特解。根據拉普拉斯方程式的唯一性定理,這特解也是唯一的正確解答。

兩個半平面導體案例

被位於y=0的絕緣線條分隔為處於y+、y--半平面的兩個導體的電勢分別設定為+VV

假設在xy-平面的無限平面導體被一條位於y=0的絕緣線條分為兩半,兩個處於y+、y--半平面的導體的電勢分別設定為+VV,則計算z+-半空間任意位置的電勢這問題,由於邊界條件的幾何形狀適合用直角坐標來描述,可以以直角坐標(x,y,z)將拉普拉斯方程式表示為:

2ϕ=2ϕx2+2ϕy2+2ϕz2=0

因為這案例與x-坐標無關,方程式可以簡化為

2ϕ(y,z)=2ϕy2+2ϕz2=0

應用分離變數法,猜想解答的形式為

ϕ(y,z)=Y(y)Z(z)

將這公式代入拉普拉斯方程式,則可得到

1Y(y) d2Y(y)dy2+1Z(z) d2Z(z)dz2=0

注意到這方程式的每一個項目都只含有一個變量,並且跟其它變量無關。所以,每一個項目都等於常數:

1Y(y) d2Y(y)dy2=C
1Z(z) d2Z(z)dz2=C

這樣,一個二次偏微分方程式被改變為兩個簡單的二次常微分方程式。解答分別為

Y(y)=A1eiky+A2eiky
Z(z)=B1ekz+B2ekz

其中,A1(k)A2(k)B1(k)B2(k)都是係數函數。

z趨向於無窮大時,Z(z)趨向於零,所以,B1=0。綜合起來,電勢為

ϕ(y,z)=0(A1eiky+A2eiky)ekzdk

由於在z=0,y+、y--半平面的電勢分別為+VV,所以,

y>0時,0(A1eiky+A2eiky)dk=+V
y<0時,0(A1eiky+A2eiky)dk=V

應用傅立葉變換,可以得到

A1(k)=V2π(0eikydy0eikydy)
A2(k)=V2π(0eikydy0eikydy)

所以,由A1(k)項目貢獻出的電勢為

ϕ1=V2π0dk{0eik(yy)kzdy0eik(yy)kzdy}= V2π0dyi(yy)z+ V2π0dyi(yy)z

類似地,由A2(k)項目貢獻出的電勢為

ϕ2=V2π0dk{0eik(yy)kzdy0eik(yy)kzdy}= V2π0dyi(yy)z+ V2π0dyi(yy)z

總電勢為[4]

ϕ=Vzπ0dy(yy)2+z2 Vzπ0dy(yy)2+z2=2Vπ arctan(yz)

帕松方程式的解答

電荷分佈所產生的電勢

根據庫侖定律,一個源位置為𝐫的點電荷q,所產生在任意位置𝐫的電場為

𝐄(𝐫)=q4πϵ0 (𝐫𝐫)|𝐫𝐫|3

對於一群點電荷,應用疊加原理,總電場等於每一個點電荷所產生的電場的疊加。體積區域𝕍內部電荷密度為ρ(𝐫)的電荷分佈,在檢驗位置𝐫所產生的電場為

𝐄(𝐫)=14πϵ0𝕍ρ(𝐫)(𝐫𝐫)|𝐫𝐫|3 d3r

其中,d3r是微小體積元素。

應用一條向量恆等式

1|𝐫𝐫|= (𝐫𝐫)|𝐫𝐫|3

可以得到

𝐄(𝐫)= 14πϵ0𝕍ρ(𝐫)|𝐫𝐫| d3r

設定在無窮遠的電勢為參考值0,則在任意位置的電勢為

ϕ(𝐫)=14πϵ0𝕍ρ(𝐫)|𝐫𝐫| d3r(1)

應用一則關於狄拉克δ函數向量恆等式

2(1|𝐫𝐫|)=4πδ(𝐫𝐫)

假設檢驗位置𝐫在積分體積𝕍內,則可得到帕松方程式:

2ϕ(𝐫)=14πϵ0𝕍2(ρ(𝐫)|𝐫𝐫|) d3r= 1ϵ0𝕍ρ(𝐫)δ(𝐫𝐫) d3r= ρ(𝐫)ϵ0

所以,電勢的方程式(1)為帕松方程式的解答。

邊界條件

電勢的方程式(1)只考慮到一群電荷分佈所產生的電勢。假若遭遇邊界條件為電勢的靜電學問題,就不能使用方程式(1),必需使用更具功能的方法。

根據格林第二恆等式,對於任意良態函數ϕ(𝐫)ψ(𝐫)[5]

𝕍(ϕ2ψψ2ϕ) d3r=𝕊(ϕψnψϕn) d2r

其中,𝕍是積分體積,𝕊是包住𝕍的閉表面,d2r是微小面元素,ϕnϕn都是取垂直於閉表面𝕊法向導數,都是從積分體積𝕍朝外指出。

設定ϕ(𝐫)為在𝐫的電勢,ψ=1|𝐫𝐫|𝐫𝐫之間的距離。應用帕松方程式2ϕ(𝐫)=ρ/ϵ0,則可得到

𝕍[ϕ(𝐫)2(1|𝐫𝐫|)+ρ(𝐫)ϵ0|𝐫𝐫|]d3r=𝕊[ϕ n(1|𝐫𝐫|)(1|𝐫𝐫|)ϕn]d2r

再應用向量恆等式

2(1|𝐫𝐫|)=4πδ(𝐫𝐫)

假設檢驗位置𝐫在積分體積𝕍內,則可得到

ϕ(𝐫)=14πϵ0𝕍ρ(𝐫)|𝐫𝐫| d3r+14π𝕊[(1|𝐫𝐫|)ϕnϕ n(1|𝐫𝐫|)]d2r

這方程式右手邊的體積分就是電勢的方程式(1),而面積分就是因為邊界條件而添加的項目。這是𝕍體內與體外之間的邊界曲面。面積分的第一個項目要求給定在邊界曲面的法向電場,即En=ϕn,也就是面感應電荷密度σ=ϵ0En。面積分的第二個項目要求給定在邊界曲面的電勢ϕ。假若能夠知道積分體積內的電荷密度、在閉曲面的面電荷密度與電勢,就可以計算出在積分體積內任意位置的電勢。

根據柯西邊界條件,有時候,給定在邊界曲面的法向電場與電勢,可能會因為給定過多邊界條件,而造成無法計算出一致的電勢的狀況。實際而言,只要給定法向電場或電勢,兩者之一,就可以計算出電勢。[5]

假若積分體積為無窮大空間,當r趨向於無窮大時,則面積分的被積分項目會以1/r'3速率遞減,而積分面積會以r'2速率遞增,所以,面積分項目會趨向於零,這方程式約化為先前的電勢方程式(1)。

格林函數

包括函數1/|𝐫𝐫|在內,有一類函數G(𝐫,𝐫),稱為格林函數,能夠滿足方程式

2G(𝐫,𝐫)=4πδ(𝐫𝐫)

另外,假設函數H(𝐫,𝐫)滿足拉普拉斯方程式

2H(𝐫,𝐫)=0

則函數G(𝐫,𝐫)=G(𝐫,𝐫)+H(𝐫,𝐫)也是格林函數。

應用這靈活性質,可以更嚴格地規定格林函數:[5]

  • 對於狄利克雷問題,當源位置𝐫在邊界表面𝕊時,規定格林函數GD(𝐫,𝐫)=0。這樣,從格林第二恆等式,設定ϕ(𝐫)為在𝐫的電勢,ψ(𝐫,𝐫)=GD(𝐫,𝐫),則可得到
ϕ(𝐫)=14πϵ0𝕍ρ(𝐫)GD(𝐫,𝐫) d3r 14π𝕊ϕ(𝐫) GD(𝐫,𝐫)nd2r(2)
  • 對於滿足紐曼問題,當源位置𝐫在邊界表面𝕊時,規定格林函數𝕊GD(𝐫,𝐫)nd2r=4πS

這兩種規定都能夠唯一地設定格林函數。注意到格林函數是一個幾何函數,與整個系統的電荷分佈無關。對於任何系統,只要計算出適合其幾何形狀的格林函數,則不論系統的電荷分佈為何,都可以使用同樣的格林函數。

無限平面導體案例

位於xy-平面的是一個接地的無限平面導體。其上方的點電荷q的直角坐標是(0,0,a)

假設xy-平面是接地的無限平面導體,則對於z+半空間、滿足狄利克雷邊界條件的格林函數為

GD(𝐫,𝐫)=1(xx)2+(yy)2+(zz)2 1(xx)2+(yy)2+(z+z)2

其中,(x,y,z)(x,y,z)分別是檢驗位置𝐫、源位置𝐫直角坐標

由於接地導體的電勢為零,方程式(2)的面積分項目等於零,方程式(2)變為

ϕ(𝐫)=14πϵ0𝕍ρ(𝐫)GD(𝐫,𝐫) d3r

假設在位置(0,0,a)有點電荷q,則在z+半空間任意位置的電勢為

ϕ(𝐫)=14πϵ0𝕍ρ(𝐫)(1x2+y2+(za)21x2+y2+(z+a)2) d3r=14πϵ0(qx2+y2+(za)2qx2+y2+(z+a)2)

仔細檢察這方程式,右手邊第一個項目,是在沒有平面導體的狀況時,點電荷q所產生的電勢;右手邊第二個項目,是使用鏡像法時,鏡像電荷q所產生的電勢。請參閱鏡像法條目的點電荷與無限平面導體段落。

導引

已知函數1/|𝐫𝐫|為格林函數G(𝐫,𝐫),滿足方程式

2G(𝐫,𝐫)=4πδ(𝐫𝐫)

在三維無限空間裏,1/|𝐫𝐫|傅立葉級數[6]

1|𝐫𝐫|12π2d3kei𝐤(𝐫𝐫)k2=12π2dkx dkyeikx(xx)+iky(yy) dkzeikz(zz)kx2+ky2+kz2

現在,必需找到格林函數GD(𝐫,𝐫)=G(𝐫,𝐫)+H(𝐫,𝐫),滿足狄利克雷邊界條件GD((x,y,0),𝐫)=0,同時,函數H(𝐫,𝐫)滿足拉普拉斯方程式

2H(𝐫,𝐫)=0

對於z+半空間,H(𝐫,𝐫)傅立葉級數擴張為

H(𝐫,𝐫)=12π2 dkx dkyeikx(xx)+iky(yy) dkz[B(𝐤,z)eikzz+C(𝐤,z)eikzz]

對於x-座標與對於y-座標的傅立葉級數擴張,H函數與G函數的形式相同。這是因為對於無限空間案例與無限平面導體案例,兩種案例的x-邊界條件與y-邊界條件都相同,只有z-邊界條件稍有改變。將H函數的方程式代如,GD(𝐫,𝐫)變為

GD(𝐫,𝐫)=12π2 dkx dkyeikx(xx)+iky(yy) dkz[eikz(zz)kx2+ky2+kz2+B(𝐤,z)eikzz+C(𝐤,z)eikzz]

其中,B(𝐤,z)C(𝐤,z)都是係數函數。

由於GD((x,y,0),𝐫)=0,對於任意𝐤zB(𝐤,z)C(𝐤,z)之間的關係為

eikzzkx2+ky2+kz2+B(𝐤,z)+C𝐤,z)=0
B(𝐤,z)=B0eikzzkx2+ky2+kz2
C(𝐤,z)=C0eikzzkx2+ky2+kz2

其中,B0C0都是係數常數,而且,B0+C0=1

將這些公式代入GD,可以得到

GD(𝐫,𝐫)=12π2 dkx dkyeikx(xx)+iky(yy) dkz{(1+B0)k2[eikz(zz)eikz(z+z)]}

為了滿足方程式2GD(𝐫,𝐫)=4πδ(𝐫𝐫),必需設定B0=0。所以,

GD(𝐫,𝐫)=12π2 dkx dkyeikx(xx)+iky(yy) dkz{1k2[eikz(zz)eikz(z+z)]}=1|𝐫𝐫|1|𝐫𝐫|=1(xx)2+(yy)2+(zz)2 1(xx)2+(yy)2+(z+z)2

其中,𝐫=(x,y,z)是鏡像電荷的位置。

兩個半平面導體案例

假設在xy-平面的無限平面導體被一條位於y=0的絕緣線條分為兩半,兩個處於y+、y--半平面的導體的電勢分別設定為+VV,則由於ρ(𝐫)=0,方程式(2)變為

ϕ(𝐫)= 14π𝕊ϕ(𝐫) GD(𝐫,𝐫)nd2r(3)

注意到𝕍是z+-半空間,xy-平面是其邊界閉曲面的一部分,格林函數在xy-平面的法向導數的方向是朝著負z方向:

GDn= GDz= zz[(xx)2+(yy)2+(zz)2]3/2  z+z[(xx)2+(yy)2+(z+z)2]3/2= 2z[(xx)2+(yy)2+z2]3/2

𝕍的邊界閉曲面在無窮遠位置的電勢為0,所以,只需要計算xy-平面給出的貢獻,就可以得到在𝕍內部任意位置的電勢。將上述方程式代入方程式(3):[4]

ϕ(𝐫)=2z4π{0+Vdxdy[(xx)2+(yy)2+z2]3/2+0Vdxdy[(xx)2+(yy)2+z2]3/2}= zVπ{0+dy(yy)2+z20dy(yy)2+z2}=2Vπ arctan(yz)

推廣至電動力學

假設磁場含時間(每當電場含時間,則此假設成立。逆過來亦成立),則不能簡單地以純量勢ϕ描述電場。因為根據法拉第電磁感應定律×𝐄= 𝐁t0,電場不再具有保守性,𝐄d跟路徑有關。

替代地,在定義純量勢時,必須引入磁向量勢𝐀,定義為

𝐁 =def ×𝐀

其中,𝐁磁場

根據亥姆霍茲定理[7]Template:Lang),假設一個向量函數𝐅(𝐫)滿足以下兩條件:

𝐅(𝐫)=D(𝐫)
×𝐅(𝐫)=𝐂(𝐫) ;

其中,D(𝐫)是個純量函數,𝐂(𝐫)是個向量函數。

再假設D(𝐫)𝐂(𝐫),在無窮遠處都足夠快速地趨向0,則𝐅(𝐫)可以用方程式表達為

𝐅(𝐫)=(14π𝕍D(𝐫)|𝐫𝐫|d3r)+×(14π𝕍𝐂(𝐫)|𝐫𝐫|d3r) ;

在這裏,只作用於𝐫,體積分的體積為𝕍

採用庫侖規範Template:Lang),則磁向量勢𝐀遵守

𝐀=0

所以,

𝐀(𝐫)=×(14π𝕍𝐁(𝐫)|𝐫𝐫|d3r)=14π𝕍𝐁(𝐫)×𝐫𝐫|𝐫𝐫|3d3r

注意到,以上這些推導,並沒有涉及時間參數。加入時間參數t,結果也成立。所以,永遠可以找到磁向量勢𝐀

𝐀(𝐫,t)=14π𝕍𝐁(𝐫,t)×𝐫𝐫|𝐫𝐫|3d3r

根據法拉第電磁感應定律,向量場𝐆=𝐄+𝐀/t是一個保守場:

×𝐆=×𝐄+×𝐀/t=0

所以,必定可以找到純量勢ϕ,滿足𝐆=ϕ。因此,下述方程式成立:

𝐄=ϕ𝐀t

靜電勢只是這含時定義的一個特別案例,在這案例裏,磁向量勢𝐀不含時間。從另一方面來說,對於含時向量場,電場的路徑積分與靜電學的結果大不相同:

ab𝐄dϕ(b)ϕ(a)

參閱

參考文獻

Template:Reflist

延伸阅读

Template:电磁学

de:Elektrostatik#Potential und Spannung