倫敦穿透深度

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超導體中,倫敦穿透深度(通常記作λλL)是指磁場穿進超導體中,並減弱為超導體表面處強度之1e時的深度。[1] 倫敦穿透深度一般為50至500奈米。

倫敦穿透深度是由倫敦方程安培定律推導得出的。[1] 如果考慮一個超導介質佔據x0,而弱外磁場B0作用在z方向。那麼,超導體內的磁感應強度為:

B(x)=B0exp(xλL),[1]

其中,λL 可以視為磁感應強度減弱原本1e時的深度,具體表達為:

λL=(mμ0nq2)12,[1]

其中, m為帶電物體的質量,q為電荷,n 為數量密度。


參考

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另見

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