搜索结果
跳转到导航
跳转到搜索
页面标题匹配
- '''浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管'''（Floating-gate MOSFET，简称'''浮栅MOSFET'''或'''FGMOS'''）是一种[[场效应管|场效应晶体管]]，其结构 …9 KB（441个字） - 2023年10月29日 (日) 22:53
页面内容匹配
- '''浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管'''（Floating-gate MOSFET，简称'''浮栅MOSFET'''或'''FGMOS'''）是一种[[场效应管|场效应晶体管]]，其结构 …9 KB（441个字） - 2023年10月29日 (日) 22:53
- [[Category:金属氧化物半导体场效应晶体管| ]] …44 KB（1,669个字） - 2025年2月21日 (五) 07:29
- [[File:Figure3surfscat.png|right|thumb|300x300px|图 4：硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的氢钝化，以减少硅/二氧化硅界面态。氢键与硅完全满足 sp<sup>3</sup> 杂化，提供缺陷态占据，防止载流子散射到这些状态。 …18 KB（1,491个字） - 2023年10月8日 (日) 02:12
- …到，即使在现代的集成电路中，双极性晶体管依然是一种重要的器件，市场上仍有大量种类齐全、价格低廉的晶体管产品可供选择。与[[金屬氧化物半導體場效電晶體|金属氧化物半导体场效应晶体管]]相比，双极性晶体管能提供较高的[[跨导]]和[[输出阻抗|输出电阻]]，并具有高速、耐久的特性，在功率控制方面能力突出。{{R|Michael|pa …55 KB（3,086个字） - 2025年2月19日 (三) 15:47