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…）蝕刻二氧化矽的速度太快，無法實現良好的[[过程控制|程序控制]]，且會剝離[[石版印刷|光刻]]圖案中使用的光刻膠故添加緩衝氧化物蝕刻通常可以於控制蝕刻的反應速率。 <ref name="Wolf">{{Cite book|title=Silicon Processing for the VLSI Er 一些氧化物在氟化氫溶液中因還原反應會產生不溶物。因此，通常將鹽酸添加到緩衝氟化氫溶液中以溶解這些不物以提升蝕刻的品質。 <ref name="Iliescua2005">{{Cite journal |last=Iliescua |first=Ciprian… …

[[File:Phase image.jpg|thumb|衍射分光鏡的蝕刻圖樣<br>左：19x19矩陣<br>右：1x31陣列]] …[惠更斯－菲涅耳原理]]。設計繞射的式樣類似於[[繞射光柵]]，用周期性的重複圖樣令繞射光束排列成特定的組合。圖樣蝕刻的深度則與入射光的波長有關，而所蝕刻的材料亦對繞射的波長有影響。 …

用于蚀刻玻璃、锡版制造、纺织品处理、除铁锈，以及生产无水氟化氢，也用作解剖标本防腐剂和保存剂、食物保护剂，与[[氟化氢钾]]混合可用作金属的焊接剂。<ref… …

| year = 2006}}</ref>王水在[[冶金]]工业和化学分析用于溶解金属，也用于[[蝕刻|蚀刻]]工艺。王水可以溶解像是[[金]]和[[鉑]]之類的[[惰性金屬]]，不過王水無法溶解所有金屬。 …

由于氢氟酸溶解[[氧化物]]的能力，它在[[铝]]和[[铀]]的提纯中起着重要作用。<ref name="chemicalbooks"/>氢氟酸也用来蚀刻[[玻璃]]，[[半导体]]工业使用它来除去[[硅]]表面的[[氧化物]]，在炼油厂中它可以用作[[异丁烷]]和[[丁烷]]的烷基化反应的[[催化剂]] …

高氯酸也是生产液晶过程中的重要原料，同时也是蚀刻[[铬]]的良好试剂。而由高氯酸为原料生产的[[高氯酸镁]]在钢铁工业中也有应用<ref>{{Cite web |url=http://engineer …

…-41冲印处理]]工艺以来，使用[[EDTA]]铁的漂白剂已用于彩色刻印。在彩色刻印中，铁氰化钾用于在不减少点数的情况下减小色点的尺寸，作为一种称为点蚀刻的手动颜色校正。它还与少量[[硫代硫酸钠]]一起用于黑白摄影，以降低[[负片]]或{{le|明胶银刻印|Gelatin silver print}}的密 铁氰化钾与[[氢氧化钾]]（或作为替代品的[[氢氧化钠]]）和水混合，可制成村上蚀刻剂。金相学家使用这种蚀刻剂来提供硬质合金中粘合剂和碳化物相之间的对比。 …

五氯化锑是一种腐蚀性很强的物质，应远离热源和湿气储存。 它是一种氯化剂，在存在水分的情况下会释放氯化氢气体。 因此，如果在潮湿的环境中处理，它甚至可能蚀刻不锈钢工具（如针）。 五氯化锑不应使用非氟化塑料（如塑料注射器、塑料隔垫或带塑料配件的针头）处理，因为它会使塑料熔化和碳化。<ref>Shekarchi …

接触制备的基础步骤是半导体表面清洁、接触金属沉积、图案制造和退火。表面清洁可以通过溅射蚀刻、化学蚀刻、反应气体蚀刻或者离子研磨。比如说，硅的天然氧化物可以通过蘸氢氟酸（HF）来去除，而[[砷化镓]]（GaAs）则更具代表性的通过蘸溴化甲醇来清洁。清洁过后金属通过[[ …

氟硅酸铵可用作消毒剂，也用于蚀刻玻璃、金属铸造和电镀。<ref name="Cameo">[http://cameochemicals.noaa.gov/chemical/5407… …

** {{tsl|en|Photolithography|微影製程}}：蝕刻的長寬比例 …

*在[[半導體]]製程當中，磷酸可做為蝕刻的溶劑，例如：磷酸與[[過氧化氫]]的混合物可將[[InGaAs]]轉為[[磷化銦|InP]]，達到蝕刻的目的<ref>[http://terpconnect.umd.edu/~browns/wetetch.html Wet chemical etchin *蝕刻[[氮化矽]]，磷酸可將Si₃N₄轉化為[[二氧化矽|SiO₂]]。<ref name …

=== '''电化学蚀刻法''' === …相应的螺旋槽，螺旋槽内镶有与槽相应的螺旋型绝缘体镶条并固定，导电金属本体用铜材料制取，螺旋型绝缘体镶条用有机玻璃材料或3D打印。枪管作为阳极接受电化学蚀刻。<ref>{{Citation|title=一种固定阴极法电解加工身管膛线的工具|url=https://patents.google.com/pat …

*在过去，探针通过蚀刻[[镍]]之类的磁性材料获得。 …

…變化的過程對其進行動態的量測，這過程如[[薄膜]]的成長，樣品的[[蝕刻]]或清潔等。藉由原位技術，可使取得基本過程隨時間變化之光學特性參數，如成長或蝕刻速率。原位橢圓偏振的量測，需有許多額外的考量：光點要進入處理腔室並打到樣品，比起''[[ex situ]]''在腔室外的測量，更為不易。因此，其機械裝置 …

…[碳負離子]]及活化[[鎂]]以合成某幾種[[格林納試劑]]。后者过程中，1,2-二溴乙烷會轉換為[[乙烯]]及[[溴化鎂]]，亦向基質暴露了鎂的新近蝕刻部份。<ref>Maynard, G. D. 有機合成原料百科《1,2-二溴乙烷》(Ed: L. Paquette) 2004, J. Wiley & …

…的强度会在电介质内有可观的下降。这个事实常常用于增加特定电容器设计的电容。[[印刷线路板]]（Printed Wiring Boards，简称PWB）蚀刻的导体下面的一层电介质可以用来绝缘。 …

…j8Crr6R |dead-url=no }}</ref>；其次，鋪膜方法做出的碳纳米管膜具有導電異向性，就像天然內置的圖形，不需要[[光刻]]、[[蝕刻]]和水洗的制程，節省大量水電的使用，較為環保節能。工程師更開發出利用碳納米管導電異向性的定位技術，僅用一層碳纳米管薄膜即可判斷觸摸點的X、Y座標；碳纳 …

…可以用来分析金属材料在特定状态下或在一些加工处理后的表面化学。这些加工处理方法包括空气或超高真空中的压裂、切割、刮削，用於清除某些表面污染的[[离子束蚀刻]]，为研究受热时的变化而置于加热环境，置于可反应的气体或溶剂环境，置于[[离子注入]]环境，以及置于[[紫外线]]照射环境等。 *通过离子束蚀刻，测量元素组分与深度的关系（depth profiling） …

…=Tsuruta|first3=N.|last4=Morita|first4=K.|last1=Sakata}}</ref>，等离子处理和[[蝕刻|酸蚀刻]]之类的表面处理<ref>{{cite journal|title=Acid-etching and Hydration Influence on… …