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輻射損害過程最終的結果是在晶體結構中形成大量的[[晶體#晶體缺陷|點缺陷聚合體]]（包括晶格空位以及間隙缺陷）並且由這些缺陷聚合體所組成的簇。 …

…的部件就是氟化镧-{晶片}-（这种-{晶片}-很薄，又称为晶体膜）。将电极插入到待测离子的溶液时，溶液中的离子会被-{晶片}-[[吸附]]。而且，由于晶体缺陷的存在，还会发生离子的交换，从而在晶体膜表面建立了[[双电层]]结构，并产生[[膜电位]]： …

…材料科学]]中，指[[晶体材料]]的一种内部微观缺陷，即[[原子]]的局部不规则排列（[[晶体缺陷]]）。从[[几何]]角度看，位错属于一种[[晶體#晶體缺陷|线缺陷]]，可视为晶体中已[[滑移]]部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的[[物理]]性能，尤其是[[力学]]性能，具有极大的影响。“位错”这一概 [[Category:晶体缺陷]] …

…</sup>，<math>Fe_{Fe}^\prime</math>即取代Fe³⁺位置的Fe²⁺（详见[[晶体缺陷]]的表示方法：{{Le|克罗格-明克记号|Kröger–Vink notation}}）。 …

…{{link-en|磁畴壁|Domain wall (magnetism)}}的移動，造成其中微小[[磁畴]]的膨脹及收縮。不過磁畴壁在移動時，會受到晶體缺陷的影響而卡住，最後磁畴壁仍會移動，但是會發熱，即為磁滯損<ref name="张洪润吕泉2005">{{cite book|author1=张洪润|au …

…，在完整晶体中，电子运动可以不被格点[[散射]]地传播（所以该模型又称为'''近自由电子近似'''），导体的[[电阻]]仅仅来自那些破坏了势场周期性的晶体缺陷以及电子与声子的相互作用。 …

…、具有[[有效質量]]的電子的運動。所以，假設[[熱運動]]足夠微小，週期性結構沒有偏差，則這晶體的電阻等於零。但是，真實晶體並不完美，時常會出現[[晶體缺陷]]，有些晶格點的原子可能不存在，可能會被雜質侵佔。這樣，晶格的週期性會被擾動，因而電子會被[[散射]]。另外，假設溫度大於[[絕對零度]]，則處於晶格 其中，<math>\rho_d</math>是由於晶體缺陷而產生的電阻率，<math>\rho_p</math>是由於[[聲子]]而產生的電阻率。 …

…[[单晶]][[硅]]的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如[[布里奇曼-史托巴格法]]）可以获得更低的[[晶体缺陷]]密度。 …

实际材料的表面一般没有完美的周期性。材料表面的各种[[晶体缺陷|缺陷]]，例如[[位错]]、[[原子台阶]]，以及[[吸附]]在表面的杂质原子，在不同程度上都会造成衍射光斑的展宽和衍射背景强度的增加。传统的低能电子 …

这种成像方式可以用来研究晶体的晶格缺陷。通过认真的选择样品的方向，不仅能够确定晶体缺陷的位置，也能确定缺陷的类型。如果样品某一特定的晶平面仅比最强的衍射角小一点点，任何晶平面缺陷将会产生非常强的对比度变化。然而原子的位错缺陷不会改变布拉格 …[[振幅]]分布对应于样品中晶体各部分不同的衍射能力，当出现[[晶体缺陷]]时，缺陷部分的衍射能力与完整区域不同，从而使衍射波的振幅分布不均匀，反映出晶体缺陷的分布。 …

双极性晶体管对[[游離輻射|电离辐射]]较为敏感。如果将晶体管置于电离辐射的环境中，器件将因辐射而受到损害。产生损害是因为辐射将在基极区域产生[[晶体缺陷|缺陷]]，这种缺陷将在能带中形成[[复合]]中心（{{lang|en|recombination centers}}）。这将造成器件中起作用的少数载流 …

…8-0-89464-617-1.</ref> 都會影響半導體材料的特性。對於一個[[半導體器件|半導體元件]]而言，材料晶格的缺陷<small>（[[晶体缺陷]]）</small>通常是影響元件性能的主因。 …

纯净的黑索金机械感度较高，为适应某些特殊需求，一般会对工业制备的黑索金进行改性与钝化处理，相关钝化原理包括通过[[重结晶]]减少晶体缺陷、降低药剂粒度以降低[[比表面积]]、对颗粒进行钝感剂包覆等。生产中常用[[虫胶]]溶剂对黑索金颗粒进行包覆，相关方法也被称为造粒，使用的即为上述第三种 …

…物理過程即稱為散射。此局部性位勢稱為'''散射體'''或'''散射中心'''。局部性位勢的種類無法盡列，例如：粒子、氣泡、液珠、液體密度[[漲落]]、晶體缺陷、粗糙表面等等。在傳播的波動或移動的粒子的路徑中，這些特別的局部性位勢所造成的效應，都可以放在{{link-en|散射理論|physics}}的框架。 …

…ive mass}}）的電子的運動。所以，假設[[熱運動]]足夠微小，週期性結構沒有偏差，則這晶體的電阻等於零。但是，真實晶體並不完美，時常會出現[[晶體缺陷]]（{{lang|en|crystallographic defect}}），有些晶格點的原子可能不存在，可能會被雜質侵佔。這樣，晶格的週期性會被擾動 …