File:Threshold formation nowatermark.gif
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Threshold_formation_nowatermark.gif （722 × 328像素，文件大小：267 KB，MIME类型：image/gif、循环、24帧、3.6秒）
摘要
| 描述 |
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V.
OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire |
| 日期 | |
| 来源 | 自己的作品 |
| 作者 | Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris |
许可协议
|
我，本作品著作权人，释出本作品至公有领域。这适用于全世界。 在一些国家这可能不合法；如果是这样的话，那么： 我无条件地授予任何人以任何目的使用本作品的权利，除非这些条件是法律规定所必需的。 |
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| 日期/时间 | 缩略图 | 大小 | 用户 | 备注 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 当前 | 2010年8月26日 (四) 17:57 | | 722 × 328（267 KB） | wikimediacommons>Zephyris | {{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o |
文件用途
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