File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png
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Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png （768 × 576像素，文件大小：650 KB，MIME类型：image/png）
摘要
| 描述 |
Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111
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| 日期 | 2005年9月13日 (原始上传日期) |
| 来源 | 无法识别来源。根据版权声明推断为其自己的作品。 |
| 作者 | 无法识别作者。根据版权声明推断作者为Twisp。 |
许可协议
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我，本作品著作权人，释出本作品至公有领域。这适用于全世界。 在一些国家这可能不合法；如果是这样的话，那么： 我无条件地授予任何人以任何目的使用本作品的权利，除非这些条件是法律规定所必需的。 |
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| 日期/时间 | 缩略图 | 大小 | 用户 | 备注 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 当前 | 2005年9月13日 (二) 01:15 | | 768 × 576（650 KB） | wikimediacommons>Twisp | * Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho |
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