单粒子翻转

单粒子翻转英文缩写SEU（Single-Event Upsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。

单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式：

$R_p=\underset{E_0}{\overset{\mathrm{\infty }}{\int }}{\sigma }_p(E)\phi (E)dE(SEU/bit\cdot d)$ 其中：$E_0$为阈值能量，单位MeV；${\sigma }_p(E)$为质子单粒子翻转截面积，单位$c{m}^2/bit$；$\phi (E)$为质子微分流量。