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在閉合曲面 $𝔸$ 的內部有電荷 $Q$ ，因此會在閉合曲面產生電場 $𝐄$ 。

高斯定律表明在，闭合曲面内的电荷分佈與產生的電場之間的關係：

• 真空中高斯定律積分形式为：$\mathrm{\Phi }={\oint }_{𝔸}𝐄\cdot \mathrm{d}{𝐚}^{\prime }=\frac{Q}{{ϵ}_0}$ ；

其中，$𝐄$ 为电场， $d{𝐚}^{\prime }$ 为閉合曲面 $𝔸$ 的微分面积，由曲面向外定义为其方向，$Q$ 为闭合曲面内的电荷，${ϵ}_0$ 为電常數。

• 其微分形式为:$\mathrm{\nabla }\cdot 𝐄=\frac{\rho }{{ϵ}_0}$ ；其中，$\rho$ 为电荷密度(单位 C/m³)。
• 在线性材料中，等式变为$\mathrm{\nabla }\cdot ϵ𝐄=\rho$ ；其中$ϵ$ 为材料的電容率。