场限环

Template:Orphan场限环（Template:Lang-en），是一种通过离子注入或扩散等方式，在平面结的主结外围形成与主结极性相同、环状分布的杂质区，从而抑制主结边缘由曲率效应引起的电场集中，以分压的方式将电压逐渐降低，达到提高器件击穿电压的技术。场限环与主结以及其它电极并没有电接触，因此又称为浮空场限环。

二维泊松方程

当主结加反向电压时，主结与环结的电场与电位分布可用半导体表面的二维泊松方程求解：

${\frac{\partial E_x}{\partial x}|}_{x,y_s}=\frac{q}{{ϵ}_s}(N^{-}-\frac{{ϵ}_s}{q}{\frac{\partial E_y}{\partial y}|}_{x,y_s})$