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[[File:Gauss Sphere Charge Inside 2.svg|right|thumb|150px|在閉合曲面 <math>\mathbb{A}</math> 的內部有電荷 <math>Q</math> ，因此會在閉合曲面產生電場 <math>\mathbf{E}</math> 。]]
'''[[高斯定律]]'''表明在，闭合曲面内的[[电荷]]分佈與產生的電場之間的關係：
* 真空中高斯定律[[積分]]形式为：<math>\Phi = \oint_{\mathbb{A}}\mathbf{E} \cdot \mathrm{d}\mathbf{a}' = \frac{Q}{\epsilon_0} </math> ；
:其中，<math>\mathbf{E}</math> 为[[电场]]， <math>d\mathbf{a}'</math> 为閉合曲面 <math>\mathbb{A}</math> 的微分面积，由曲面向外定义为其方向，<math>Q</math> 为闭合曲面内的电荷，<math>\epsilon_0</math> 为[[電常數]]。
* 其微分形式为:<math>\nabla \cdot \mathbf{E} =\frac{\rho}{\epsilon_0}</math> ；其中，<math>\rho</math> 为电荷密度(单位 C/m<sup>3</sup>)。
* 在线性材料中，等式变为<math>\nabla \cdot \epsilon \mathbf{E} = \rho</math> ；其中<math>\epsilon</math> 为材料的[[電容率]]。