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{{NoteTA
|G1=Electronics
|G2=Physics|1=zh-cn:本征半导体;zh-hk:本徵半導體;zh-tw:本質半導體
|2=zh-hans:激光二极管;zh-hk:激光二極管;zh-tw:雷射二極體
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'''帶隙'''（band gap）、'''帶溝'''，或稱'''能隙'''（energy gap）、'''能帶隙'''（energy band gap）、'''禁带-{}-宽度'''（width of forbidden band），在[[固態物理學]]中泛指[[半導體]]或[[絕緣體]]的[[價帶]]頂端至[[傳導帶]]底端的能量差距。

對一個[[本徵半導體|本質半導體]]而言，其[[導電性]]與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從[[價帶]]被激發，跨過能隙並[[躍遷]]至[[傳導帶]]。利用[[費米-狄拉克統計]]可以得到電子佔據某個[[能階]]<math>E_0</math>的機率。又假設<math>E_0>>E_F</math>，<math>E_F</math>是所謂的[[費米能階]]，電子佔據<math>E_0</math>的機率可以利用波茲曼近似簡化為：
:<math>e^{\left(\frac{-E_g}{kT}\right)}</math>
在上式中，<math>E_g</math>是能隙的寬度、<math>k</math>是[[波茲曼常數]]，而<math>T</math>則是溫度。

半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在[[化合物半導體]]中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如[[分子束外延|分子束磊晶]]（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如[[异质结双极性晶体管|-{zh-cn:异质结双极性晶体管;zh-tw:異質接面雙載子電晶體;}-]]（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、[[激光二極管|雷射二極體]]，或是太陽能電池上已經成為主流。

== 相關議題 ==
*[[直接带隙和间接带隙]]

{{半导体物理学}}

[[Category:固体物理学|N]]
[[Category:半导体|N]]
[[Category:電子能帶結構]]

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