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'''緩衝氧化物刻蝕劑'''( '''BOE''' )，也稱為緩衝氟化氫 (BHF 或 Buffered HF )，是一種用在微小尺度加工的溼[[刻蚀|刻蝕劑]]。它的主要用途是蝕刻[[二氧化硅|二氧化矽]](<chem>SiO2</chem> ) 或[[氮化矽]](<chem>Si3N4</chem> )[[薄膜]]。是一種作為[[缓冲溶液|緩衝溶液]]的混合物，像是[[氟化铵|氟化銨]](<chem>NH4F</chem>) 和[[氢氟酸|氫氟酸]](HF)。因濃氫氟酸（通常是 49% 的氫氟酸溶液）蝕刻二氧化矽的速度太快，無法實現良好的[[过程控制|程序控制]]，且會剝離[[石版印刷|光刻]]圖案中使用的光刻膠故添加緩衝氧化物蝕刻通常可以於控制蝕刻的反應速率。 <ref name="Wolf">{{Cite book|title=Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology|last=Wolf|first=Stanley|last2=Tauber|first2=Richard|year=1986|pages=532–533|isbn=978-0-9616721-3-3}}</ref>

一些氧化物在氟化氫溶液中因還原反應會產生不溶物。因此，通常將鹽酸添加到緩衝氟化氫溶液中以溶解這些不物以提升蝕刻的品質。 <ref name="Iliescua2005">{{Cite journal |last=Iliescua |first=Ciprian |last2=Jing |first2=Ji |last3=Tay |first3=Francis |last4=Miao |first4=Jianmin |last5=Sun |first5=Tietun |date=Aug 2005 |title=Characterization of masking layers for deep wet etching of glass in an improved HF/HCl solution |journal=[[J. Surf. Coat.]] |volume=198 |issue=1–3 |page=314 |doi=10.1016/j.surfcoat.2004.10.094}}</ref>

常見的緩衝氧化物蝕刻溶液包含體積比為 6:1 的 40% NH <sub>4</sub> F 水溶液與 49% HF 水溶液。該溶液將在 25 攝氏度下以每秒約2 奈米的速度蝕刻熱生長的氧化物。 <ref name="Wolf2">{{Cite book|title=Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology|last=Wolf|first=Stanley|last2=Tauber|first2=Richard|year=1986|pages=532–533|isbn=978-0-9616721-3-3}}<cite class="citation book cs1" data-ve-ignore="true" id="CITEREFWolfTauber1986">Wolf, Stanley; Tauber, Richard (1986). ''Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology''. pp.&nbsp;532–533. [[国际标准书号|ISBN]]&nbsp;[[专题：BookSources/978-0-9616721-3-3|<bdi>978-0-9616721-3-3</bdi>]].</cite></ref>可以增加溫度以提高蝕刻速率。在蝕刻過程中連續攪拌溶液有助於獲得更均匀的溶液，通過從表面去除蝕刻材料可以更均匀地蝕刻。

== 参考 ==
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[[Category:蝕刻]]