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'''电迁移'''（{{lang-en|Electromigration}}）<ref>Black J.R.(April 1969)"Electromigration-A Brief Survey and Some Recent Results" IEEE Trans.on Electron Devices 16(4) 338-347</ref>是由于通电[[导体]]内的[[电子]]运动，把它们的[[动能]]传递给导体的[[金属离子]]，使离子朝[[电场]]反方向运动而逐渐迁移，导致导体的[[原子]]扩散、损失的一种现象。由法国科学家[[伽拉丁]]约在100年前发现的。但到1966年出现[[積體電路]]后，才有更多人对它进行研究。

==公式==
1969年[[摩托罗拉]]公司[[吉姆·贝勒克]]的研究取得很重要的结果<ref>Black J.R.(September 1969)"Electromigration Failure Modes in Aluminium Metallization for Semiconductor Devices" Proc.of the IEEE 57(9): 1587-94</ref>，得出由于电迁移而使电路失效的平均时间T的公式为：

:<math>\text{T} = \frac{A}{J^n} e^{\frac{E_\text{a}}{k T}}.</math>

这里：A為与横截面积有关的常数；J為电流密度；N為无量纲因子，一般取2；      E<sub>a</sub>為电迁移的激活能；k為[[波尔兹曼常数]]；T為温度。

==影响==
电流密度是一个由设计而定的参数，影晌电迁移的重要物理因素主要有[[温度]]、[[导线]]的宽度和导线的长度。

当电迁移效应出现时，由于离子流的不对称性，可造成二种电线路的失败：
*当流走的离子通量超过流入离子通量时；形成空缺，造成开断电路。
*当流入离子流超过流出离子流时，出现“小山丘”，造成电路短路。

==发展==
由于科学技术的快速发展，積體電路的密度不断提高，现已发展到应用[[纳米技术]]阶段，从2004年到2020年[[積體電路]]的三个主要参数就可看出它现在的发展趋势：
*电流密度由1×10^4 A/cm² 到 3×10^7 A/cm²；
*线宽由90nm縮小到15nm；
*线长由1km/cm²增大到7km/cm²
在这样高密度的積體電路要求下，如何避免电迁移效应的发生是一个要考虑的问题。

==参考文献==
{{reflist}}

[[Category:電學]]
[[Category:半导体物理学]]