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{{NoteTA|G1=物理學}} 在[[電磁學]]裏,'''電流密度'''({{lang|en|current density}})是電荷流動的密度,即每單位截面面積[[電流|電流量]]。電流密度是一種[[向量]],一般以符號<math>\mathbf{J}</math>表示。採用[[國際單位制]],電流密度的單位是[[安培]]/米<sup>2</sup>(ampere/meter<sup>2</sup>,A/m<sup>2</sup>)。 ==定義== '''电流密度''' ''J'' 可以简单地定义为通过单位[[面积]] ''A''(国际单位:[[metre|m]]<sup>2</sup>)的[[电流]] ''I''(国际单位:[[安培|A]])。它的量值由[[函数极限|极限]]给出:<ref>Essential Principles of Physics, P.M. Whelan, M.J. Hodgeson, 2nd Edition, 1978, John Murray, ISBN 0-7195-3382-1</ref> :<math>J = \lim\limits_{A \rightarrow 0}\frac{I(A)}{A}</math> 当电流密度作为向量 '''J''' 时,在[[曲面]] ''S'' 上进行[[曲面积分]]后,再对持续时间 ''t''<sub>1</sub> 到 ''t''<sub>2</sub> 积分,得到 (''t''<sub>2</sub> − ''t''<sub>1</sub>) 这段时间流过该面的电荷总量: :<math>q=\int_{t_1}^{t_2}\iint_S \mathbf{J}\cdot\mathbf{\hat{n}}{\rm d}A{\rm d}t </math> 计算通量所用到的[[面积]]可实可虚,可平可曲,可为截面也可为表面。例如,对于通过[[导体]]的载流子来说,这里遇到的面积是导体的截面。 ==重要性== 對於[[電力系統]]和[[電子學|電子系統]]的設計而言,電流密度是很重要的。電路的性能與電流量緊密相關,而電流密度又是由導體的物體尺寸決定。例如,隨著[[積體電路]]的尺寸越變越小,雖然較小的元件需要的電流也較小,為了要達到[[晶片]]內含的元件數量密度增高的目標,電流密度會趨向於增高。更詳盡細節,請參閱[[摩爾定律]]。 在高頻頻域,由於[[趨膚效應]],傳導區域會更加侷限於表面附近,因而促使電流密度增高。 電流密度過高會產生不理想後果。大多數電導體的[[電阻]]是有限的正值,會以[[熱能]]的形式消散[[功率]]。為了要避免電導體因過熱而被熔化或發生燃燒,並且防止絕緣材料遭到損壞,電流密度必須維持在過高值以下。假若電流密度過高,材料與材料之間的互連部分會開始移動,這現象稱為[[電遷移]]({{lang|en|electromigration}})。在[[超導體]]-{zh:里; zh-cn:里; zh-tw:裡; zh-hk:裏}-,過高的電流密度會產生很強的[[磁場]],這會使得超導體自發地喪失超導性質。 對於電流密度所做的分析和觀察,可以用來探測固體內在的物理性質,包括金屬、半導體、絕緣體等等。在這科學領域,材料學家已經研究發展出一套非常詳盡的理論形式論,來解釋很多機要的實驗觀察<ref name= Martin>{{citation |title=Electronic Structure:Basic theory and practical methods |author=Richard P Martin |publisher=Cambridge University Press|pages=pp. 369ff |year=2004 |isbn=0521782856}}</ref>。 [[安培力定律]]描述電流密度與磁場之間的關係。電流密度是安培力定律的一個重要參數, ==計算电流密度== ===自由电流=== 大自然有很多種載有電荷的[[粒子]],稱為「帶電粒子」,例如,[[導電體]]內可移動的[[電子]]、[[電解液]]內的[[離子]]、[[電漿]]內的電子和離子、[[強子]]內的[[夸克]]<ref> {{citation | title = The electronics companion | author = Anthony C. Fischer-Cripps | publisher = CRC Press | year = 2004 | isbn = 9780750310123 | pages = pp. 13 }}</ref>。這些帶電粒子的移動,形成了電流。電荷流動的分佈可以由電流密度來描述: :<math>\mathbf{J}(\mathbf{r}, t) = qn(\mathbf{r},t)\; \mathbf{v}_d(\mathbf{r},t) = \rho(\mathbf{r},t) \; \mathbf{v}_d(\mathbf{r},t)</math>; 其中,<math>\mathbf{J}(\mathbf{r}, t)</math>是在位置<math>\mathbf{r}</math>、在時間<math>t</math>的電流密度向量,<math>q</math>是帶電粒子的電荷量,<math>n(\mathbf{r},t)</math>是帶電粒子[[密度]],是單位體積的帶電粒子數量,<math>\rho(\mathbf{r},t)</math>是[[電荷密度]],<math>\mathbf{v}_d(\mathbf{r},t)</math>是帶電粒子的平均[[漂移速度]]。 電流密度時常可以近似為與電場成正比,以方程式表達為 :<math>\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}</math>; 其中,<math>\mathbf{E}</math>是[[电场]],<math>\mathbf{J}</math>是电流密度,<math>\sigma</math>是[[电导率]],是[[電阻率]]的[[倒數]]。 :{| class="toccolours collapsible collapsed" width="60%" style="text-align:left" !推导 |- |[[File:电阻定律.png|thumb|200px|欧姆定律示意图]] [[电阻]]公式闡明,一個均勻截面的物體的電阻與電阻率和導體[[長度]]成正比,與截面面積成反比。以方程式表達, :<math>R=\rho\frac{\ell}{A}</math>; 其中,<math>R</math>是電阻,<math>\ell</math>是物體长度,<math>A</math>是物體的截面面积,<math>\rho</math>是[[电阻率]]。 根據[[歐姆定律]],[[電壓]]<math>V</math>等於電流<math>I</math>乘以電阻: :<math>V=IR</math>。 所以, :<math>V=I \rho\frac{\ell}{A}</math>。 注意到在物體內,電場與電壓的關係為 :<math>\mathbf{E}=\frac{V}{\ell}\hat{z}</math>; 其中,<math>\hat{z}</math>是電流方向。 所以, :<math>\mathbf{E}=\rho\frac{I}{A}\hat{z}=\rho\mathbf{J}</math>。 電導率為電阻率的倒數,<math>\sigma=1/\rho</math>。電流密度與電場的關係為 :<math>\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}</math>。 |} 採用更基礎性的方法來計算電流密度。這方法建立於方程式 :<math>\mathbf{J}(\mathbf{r}, t) = \int_{-\infty}^t \mathrm{d}t' \int \mathrm{d}^3 r' \; \sigma(\mathbf{r}-\mathbf{r}', t-t') \; \mathbf{E}(\mathbf{r}',\ t')</math>; 其中,<math>\mathbf{r}' </math>和<math>t' </math>分別是位置積分變數和時間積分變數。 這方式顯示出電導率<math>\sigma</math>在時間方面的滯後響應,和在空間方面的非局域響應屬性。原則上,通過微觀量子分析,才能推導出來電導率函數。例如,對於足夠弱小的電場,可以從描述物質的電導性質的[[線性響應函數]]({{lang|en|linear response function}})推導<ref name=Rammer>{{citation |title=Quantum Field Theory of Non-equilibrium States |publisher=Cambridge University Press |year=2007|pages =pp. 158ff|author=Jørgen Rammer|isbn=9780521874991}}</ref>。經過一番沉思,可以了解,這電導率和其伴隨的電流密度反映出,在時間方面和在空間方面,電荷傳輸於介質的基本機制。 假設每當<math>\Delta t < 0</math>時,<math>\varepsilon_r(\Delta t) = 0</math>,則這積分的上限可以延伸至無窮大: :<math>\mathbf{J}(\mathbf{r}, t) = \int_{-\infty}^{\infty} \mathrm{d}t' \int \mathrm{d}^3 r' \; \sigma(\mathbf{r}-\mathbf{r}', t-t') \; \mathbf{E}(\mathbf{r}',\ t')</math>。 做一個對於時間與空間的[[傅立葉變換]],根據[[摺積定理]],可以得到 :<math>\mathbf{J}(\mathbf{k}, \omega) = \sigma(\mathbf{k}, \omega) \; \mathbf{E}(\mathbf{k}, \omega) </math>; 其中,<math>\sigma(\mathbf{k}, \omega)</math>是參數為[[波向量]]<math>\mathbf{k}</math>和[[角頻率]]<math>\omega</math>的電導率[[複函數]]。 許多物質的電導率是[[張量]],電流可能不會與施加的電場同方向。例如,晶體物質這是這樣的物質。磁場的施加也可能會改變電導行為。 ==穿過曲面的電流== [[File:Stromdichte.svg|thumb|200px|电流和电流密度之间的关系]] 穿過曲面<math>\mathbb{S}</math>的電流<math>I</math>可以用面積分計算為 :<math>I=\int_\mathbb{S}{ \mathbf{J} \cdot \mathrm{d}\mathbf{a}}</math>; 其中,<math>\mathbf{J}</math>是電流密度,<math>\mathrm{d}\mathbf{a}</math>是微小面元素。 ==連續方程式==<!--link charge conservation--> {{main|連續方程式}} 由於[[電荷守恆]],從某設定體積流出的電流的淨流量,等於在這體積內部的電荷量的淨變率。以方程式表達, :<math>\int_\mathbb{S}{ \mathbf{J} \cdot \mathrm{d}\mathbf{a}} = -\frac{\mathrm{d}}{\mathrm{d}t} \int_\mathbb{V}{\rho \ \mathrm{d}r^3} = -\ \int_\mathbb{V}{\left( \frac{\partial \rho}{\partial t} \right) \mathrm{d}r^3}</math>; 其中,<math>\rho</math>是電荷密度,<math>\mathrm{d}r^3</math>是微小體元素,<math>\mathbb{V}</math>是閉曲面<math>\mathbb{S}</math>所包圍的體積。 這方程式左邊的面積分表示電流從閉曲面<math>\mathbb{S}</math>所包圍的體積<math>\mathbb{V}</math>流出來,中間和右邊的體積分的負號表示,隨著時間的前進,體積內部的電荷量逐漸減少。 根據[[散度定理]], :<math>\int_\mathbb{S}{ \mathbf{J} \cdot \mathrm{d}\mathbf{a}} = \int_\mathbb{V}\mathbf{\nabla} \cdot \mathbf{J} \ \mathrm{d}r^3</math>。 所以, :<math>\int_\mathbb{V}\mathbf{\nabla} \cdot \mathbf{J}\ \mathrm{d}r^3= - \int_\mathbb{V}\frac{\partial \rho}{\partial t}\ \mathrm{d}r^3</math>。 注意到對於任意體積<math>\mathbb{V}</math>,上述方程式都成立。所以,兩個被積式恆等: :<math>\nabla \cdot \mathbf{J} = -\ \frac{\partial \rho}{\partial t}</math>。 稱這方程式為[[連續方程式]]<ref name=Griffiths>{{citation |author= Griffiths, D.J. |title=Introduction to Electrodynamics |pages=pp. 213 |publisher=Pearson/Addison-Wesley |year=1999 |isbn=013805326X |edition=3rd Edition}}</ref>。 ==參閱== *[[霍爾效應]] *[[量子霍爾效應]] *[[超導現象]] *[[漂移速度]] ==參考文獻== {{Reflist}} {{电磁学}} {{DEFAULTSORT:D}} {{Authority control}} [[Category:電流]] [[Category:密度]]
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