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{{NoteTA|G1=Physics}}
在[[凝聚体物理学]]和[[电化学]]中，'''漂移电流'''是在施加电场下[[载流子]]定向运动产生的[[电流]]。当电场加在半导体材料上时，载流子流动产生电流。

[[漂移速度]]是指漂移电流中载流子运动的平均速度。漂移速度以及产生的电流，是通过迁移率(mobility)来表述的。更详细的内容，请参见[[电子迁移率]](对于固体)和[[电迁移率]](更一般的讨论)。<!--

See [[drift–diffusion equation]] for the way that the drift current, [[diffusion current]], and [[carrier generation and recombination]] are combined into a single equation.-->

==概述==

在电流中，叫做空穴的带正电粒子顺电场方向移动，而带负电的电子逆电场方向移动。它和[[扩散电流]]不同<!-- (manifested via thermal or density gradients), which results from the random [[Brownian motion]] of charge carriers independent of electrical stimulus.-->
如果将一个电场加在自由空间的一个电子上，它会从外加电压的负端到正端沿一条直线加速加速这个电子。但相同的事情不会发生在良导体内部的电子上。良导体内有大量自由电子在固定的正离子核之间无规则运动。电子在一条直线(宏观上)上的无规则运动叫做飘移运动。飘移运动也跟载流子在导电介质中的迁移率有关。

==PN结二极管中的漂移电流==

在一个[[PN结]]二极管中，电子和空穴分别是P区和N区的少数载流子。由于载流子的扩散形成的从P到N区的扩散电流，恰好能与等量相反的漂移电流平衡。<ref>{{cite book|last=Halliday|title=Physics, Volume 2, 5Th Ed|publisher=Wiley-India, 2007|isbn=978-81-265-1089-4|pages=1115}}</ref> 
在一个偏置的PN结中，漂移电流与偏置无关，这是因为少数载流子的数量与偏置电压无关。但由于少数载流子可以通过升温产生，漂移电流是和温度有关的。

当一个电场加在半导体材料上时，载流子获得一个确定的漂移速度。对载流子运动的综合影响构成了“漂移电流”。由载流子(如空穴和自由电子)产生的漂移电流密度是通过单位截面积的电流。

(i) 自由电子的漂移电流密度J<sub>n</sub>是:

<math>J_n=qn\mu_nE\quad(A/cm^2)</math>

(ii) 空穴的漂移电流密度J<sub>p</sub>是:

<math>J_p=qp\mu_pE\quad(A/cm^2)</math>

其中:
n - 每立方厘米的自由电子数

p - 每立方厘米的的空穴数

<math>\mu_n</math> – 自由电子的迁移率，单位为<math>cm^2/Vs</math>

<math>\mu_p</math> – 空穴的迁移率，单位为<math>cm^2/Vs</math>

E – 外加电场强度，单位为 V /cm

q – 一个电子的电荷量  = 1.6 × 10<sup>−19</sup> 库仑。[https://web.archive.org/web/20160304065535/http://www.srmuniv.ac.in/downloads/drift_and_diffusion_currents.doc]

<ref>{{cite book|last=Halliday|title=Physics, Volume 2, 5Th Ed|publisher=Wiley-India, 2007|isbn= 978-81-265-1089-4|pages=1117}}</ref>

==参考资料==
{{Reflist}}

{{Authority control}}
[[Category:電荷載子]]
[[Category:電流]]