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{{Refimprove|time=2022-03-14T03:49:28+00:00}} {{NoteTA |G1=Physics }} '''溫度係數'''({{lang|en|'''temperature coefficient'''}})是指在[[溫度]]變化1[[热力学温标|K]]時,特定物理量的相對變化。 以下的公式中,''R''為特定的物理量,''T''為量測物理量時的溫度,''T''<sub>0</sub>為參考溫度,Δ''T''為量測溫度及參考溫度的溫度差,'''α'''為(線性)溫度係數。則物理量可以用以下公式表示: :<math>\operatorname{R}(T) = \operatorname{R}(T_0)(1 + \alpha\Delta T)</math> 此處α的[[因次]]為溫度的倒數(1/K或K<sup>−1</sup>)。 以上式子的物理量和溫度成[[線性]]關係,若物理量和溫度的[[多項式]]或[[對數]]成正比,也可以在一定溫度範圍內計算溫度係數,近似此範圍內的物理量變化。若物理量是隨溫度[[指數增長]]或[[指數衰減]](例如[[阿伦尼乌斯方程]]),只能在一個很小的溫度範圍內計算溫度係數。 溫度係數會隨應用領域的不同而不同,例如核能、電子學或磁學均有其溫度係數。物體的[[彈性模量]]也會隨溫度而變化,一般彈性模量會隨溫度升高而下降。 ==負溫度係數== 負溫度係數(NTC)是指一物體在一定溫度範圍內,其物理性質(例如[[電阻]])隨溫度昇高而降低。半導體、絕緣體的電阻值都隨溫度上昇而下降。 熱導率為負溫度係數的材料自1961年起,常用在[[地板暖氣]]中。負溫度係數可以避免對地毯、豆豆椅、床墊的部份過度加熱,部份過度加熱可能會破壞木質地板,甚至會產生火災。 半导体和陶瓷的電阻為[[溫度係數#電阻的負溫度係數|負溫度係數]]。 == 電阻的溫度係數 == {{see also|电阻率#几种物质的导电率|l1=物質導电率的列表}} 在設計電子元件及[[電路]]時需考慮溫度對[[電阻]]和元件的影響。[[導體]]的電阻率對溫度大致為線性變化,可以近似為下式: :<math>\operatorname{\rho}(T) = \rho_{0}[1 + \alpha_{0}(T-T_{0})]</math> 其中 :<math>\alpha_{0}=\frac{1}{\rho_{0}}\left [ \frac{\Delta \rho}{\Delta T}\right ]_{T=T_{0}}</math> <math>\rho_{0}</math>只是對應某一特定溫度(例如''T'' = 0 °C)下的電阻率<ref>{{cite book |first=S. O. |last=Kasap |title=Principles of Electronic Materials and Devices |url=https://archive.org/details/principleselectr00kasa_286 |edition=Third |publisher=Mc-Graw Hill |year=2006 |page=[https://archive.org/details/principleselectr00kasa_286/page/n138 126]}}</ref> 不過[[半导体]]的電阻率對溫度就是指數變化: :<math>\operatorname{\rho}(T) = S \alpha^{\frac{B}{T}}</math> 其中<math>S</math>定義為截面積,而''<math>\alpha</math>''及''<math>b</math>''則是決定其函數和特定溫度下電阻率數值的係數。 而導體而言,''<math>\alpha</math>''即為其電阻溫度係數。半导体的電阻溫度係數則不太一致,有些文獻<ref>{{cite book|last=Alenitsyn|first=Alexander G.|author2=Butikov, Eugene I.|author3=Kondraryez, Alexander S.|title=Concise Handbook of Mathematics and Physics|url=https://archive.org/details/concisehandbooko0000alen|publisher=CRC Press|year=1997|pages=[https://archive.org/details/concisehandbooko0000alen/page/331 331]–332|isbn=0-8493-7745-5}}</ref>將上述的''<math>\alpha</math>''為半导体的電阻溫度係數。但描述半导体的電阻溫度特性時,常會整理上式,使''<math>\alpha</math>''為常數[[E (数学常数)|e]],以那時的''<math>b</math>''來描述半导体的電阻溫度特性。 上述性質常用在[[熱敏電阻]]中。 ===電阻的正溫度係數=== 電阻的'''正溫度係數'''(PTC)是指材料的電阻值會隨溫度上昇而上升,若一物質的電阻溫度特性可作為工程應用,一般需要其阻值隨溫度有較大的變化,也就是溫度係數較大。溫度係數越大,代表在相同溫度變化下,其電阻增加的越多。 ===電阻的負溫度係數=== 大部份[[陶瓷材料|陶瓷]]的電阻為負溫度係數,其統御方程式為[[阿伦尼乌斯方程]] :<math>R=A \cdot e^{\frac{B}{T}}</math> 其中''R''為電阻,''A''和''B''為常數,而''T''為絕對溫度(K)。 常數''B''和形成及移動[[载流子]]所需的能量有關,因此若B降的越低,材料越接近絕緣體。NTC[[電阻]]的目的就是選擇適當的係數B,可以對溫度有良好的靈敏度。利用常數''B''可以建立以下電阻和溫度的關係: :<math>R = r^{\infty}e^{\frac{B}{T}} = R_{0}e^{-\frac{B}{T_{0}}}e^{\frac{B}{T}}</math> 其中<math>R_{0}</math>為溫度在<math>T_{0}</math>時的阻值。 ===半導體電阻值的負溫度係數=== 半導體材料的溫度提高,會使得載流子的濃度上昇。這會讓可以重組的載流子的增加,因此提高半導體的電導率。高溫時的電導率上昇,會使電阻減少,因此半導體電阻值的溫度係數為負值。 ===單位=== 電阻的溫度係數有時會以[[百萬分率|ppm]]/°[[攝氏溫標|C]]表示,是指當溫度在其操作溫度附近變化時,其電阻變化的比例。 ==正溫度係數近似的數學推導== 溫度係數的微分形式如下: :<math>\frac{dR}{dT} = \alpha\,R</math> 其中 :<math>R_0 = R(T_0)</math> 而<math>\alpha</math>不隨<math>T</math>變化。 將溫度係數的微分形式積分: :<math> \int_{R_0}^{R(T)}\frac{dR}{R} = \int_{T_0}^{T} \alpha\,dT ~\Rightarrow~ \ln(R)\Bigg\vert_{R_0}^{R(T)} = \alpha(T - T_0) ~\Rightarrow~ \ln\left( \frac{R(T)}{R_0} \right) = \alpha(T - T_0) ~\Rightarrow~ R(T) = R_0 e^{\alpha(T-T_0)} </math> 在<math>T_0</math>附近,用一階的[[泰勒多項式]]近似,可得: :<math>R(T) = R_0(1 + \alpha(T - T_0))</math> == 可逆溫度係數 == 殘留磁通密度(Br)對溫度的變化是磁體材料的重要特性之一。像[[陀螺儀]]或[[行波管]]等應用都需要在大幅度的溫度範圍內有固定的磁場。殘留磁通密度的可逆溫度係數(reversible temperature coefficient,簡稱RTC)定義為: :<math>RTC = \frac{\Delta Br}{Br \Delta T} \times 100\%</math> 為了滿足這些要求,在1970年代開發了溫度補償的磁鐵<ref>{{cite web |url=http://www.electronenergy.com/about-us/about-us.htm |title=About Us |publisher=Electron Energy Corporation |deadurl=yes |archiveurl=https://web.archive.org/web/20091029044111/http://www.electronenergy.com/about-us/about-us.htm |archivedate=2009-10-29 }}</ref>。傳統的[[釤鈷磁鐵]]其殘留磁通密度隨溫度上昇而下降,而在特定溫度範圍內GdCo(釓鈷)磁鐵其殘留磁通密度隨溫度上昇而上昇。藉由調整合金中[[釤]]和[[钆]]的比例,可將特定溫度範圍內的可逆溫度係數調整到接近零。 ==熱膨脹係數== {{main|熱膨脹係數}} 物質的大小會受因溫度而變化,[[熱膨脹係數]]可用來說明一物體隨溫度的變化。另一個類似的係數是[[线性热膨胀系数]],用來描述一個物體長度隨溫度的變化。由於物體的長度可以表示溫度,物體的热膨胀特性可用來製作[[溫度計]]及[[自動調溫器]]。 ==核反應度的溫度係數== 在[[核能工程]]中,核反應度(reactivity)的溫度係數是指因核反應元件或核反應冷媒溫度變化,所造成的核反應度變化(以能量的變化來表示),可定義如下: :<math>\alpha_{T}=\frac{\partial \rho}{\partial T}</math> 其中<math>\rho</math>為[[核連鎖反應]]中的有效中子增殖因子(核反應度),而''T''為溫度。可由上式看出<math>\alpha_{T}</math>是核反應度對溫度的[[偏微分]],也就是核反應度的溫度係數。<math>\alpha_{T}</math>表示溫度變化對核反應度的影響,可應用在{{link-en|被動式核能安全|passive nuclear safety}}。負的<math>\alpha_{T}</math>常被視為是核能安全的重要指標,不過由於實際反應器的大幅度溫度變化(和理論上的均質反應器不同),限制了以此單一數值作為核能安全指標的可行性<ref>Duderstadt & Hamilton 1976, pp. 259–261</ref> 。 在以水為中子减速剂的核反應器,總體核反應度對溫度的變化會以核反應性對水溫度的變化來表示,不過反應器中的不同材質(如燃料或包复層)均有個自的核反應度溫度係數。水會隨著溫度升高而膨脹,因此中子在[[中子减速剂]]中運動的時間會變長,燃料的體積變化相對較小。燃料溫度變化造成的核反應度影響,會形成一種稱為[[多普勒展寬]]的現象,是指填充材料中的快中子吸收共振,避免中子被熱化減速的現象<ref>Duderstadt & Hamilton 1976, pp. 556–559</ref>。 ==參考資料== {{reflist}} *{{cite book|last=Duderstadt|first=James J.|author2=Hamilton, Louis J.|title=Nuclear Reactor Analysis|url=https://archive.org/details/nuclearreactoran0000dude|publisher=Wiley|year=1976|isbn=0-471-22363-8}} [[Category:物質內的電場和磁場]] [[Category:電力工程]] [[Category:原子核物理学]]
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