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極點分離
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'''極點分離'''(Pole splitting)是在[[放大器電路]]中進行[[頻率補償]]時,可能會出現的現象。若在放大器的輸入側和輸出側加上[[电容器]],希望將最低頻率的[[极点 (复分析)|极点]](多半在輸入側)時,極點分離會使次低的極點頻率提高。此極點的移動會提昇放大器的穩定性,也會改善其[[階躍響應]],但其速度會變慢<ref>其[[上昇時間]]會在低[[过冲]]以及低[[振鈴]]的條件下,儘可能的調快</ref><ref name=Toumazou> {{cite book |author=C. Toumazu, Moschytz GS & Gilbert B (Editors) |title=Trade-offs in analog circuit design: the designer's companion |year= 2007 |pages=272–275 |publisher=Springer |location=New York/Berlin/Dordrecht |isbn= 978-1-4020-7037-2 |url=https://books.google.com/?id=VoBIOvirkiMC&pg=PA272&lpg=PA272&dq=%22pole+splitting%22}} </ref><ref name=Thompson> {{cite book |author=Marc T. Thompson |title=Intuitive analog circuit design: a problem-solving approach using design case studies |year= 2006 |pages=200 |publisher=Elsevier Newnes |location=Amsterdam |isbn= 0-7506-7786-4 |url=https://books.google.com/?id=1Tyzjmf0DI8C&pg=PA200&dq=pole+splitting+analog+amplifier}} </ref><ref name=Sansen>{{cite book |author=Willy M. C. Sansen |title=Analog design essentials |year=2006 |pages=§097, p. 266 ''et seq'' |publisher=Springer |location=New York; Berlin |isbn=0-387-25746-2 |url=http://worldcat.org/isbn/0-387-25746-2 |access-date=2021-07-08 |archive-date=2009-05-30 |archive-url=https://web.archive.org/web/20090530180731/http://www.worldcat.org/isbn/0-387-25746-2 |dead-url=no }}</ref>。 == 舉例 == [[File:Pole Splitting Example.png|thumbnail|250px|圖1:在輸入和輸出之間有補償電容器''C<sub>C</sub>''的運算放大器。運算放大器有輸入阻抗''R<sub>i</sub>''和輸出阻抗''R<sub>o</sub>'']] [[File:Pole Splitting Example with Miller Transform.png|thumbnail|250px|圖2:用[[密勒定理]]轉換後的電路,將輔償電容轉換為輸入側的密勒電容,以及輸出側隨頻率變化的電流源]] 這些例子可以看出在圖1的運算放大器中加入電容器C<sub>C</sub>,有兩個目的:使得放大器最低頻的極點頻率再降低,並且將次低頻率的極點頻率提高<ref>雖然這個例子看起來很特別,相關的數學分析常用在電路設計中</ref>。圖1的放大器其低頻的極點是因為加入的輸入阻抗''R<sub>i</sub>''以及電容''C<sub>i</sub>'',其時間常數是''C<sub>i</sub>'' ( ''R<sub>A</sub> || R<sub>i</sub>'' )。因為[[密勒定理]]的緣故,此極點的頻率會降低。此放大器有一個頻率較高的極點,是因為負載電阻''R<sub>L</sub>''和電容''C<sub>L</sub>'',其時間常數是''C<sub>L</sub>'' ('' R<sub>o</sub> || R<sub>L</sub>'' )。此極點的頻率會因為密勒放大的補償電容器''C<sub>C</sub>''影響了輸出電壓分壓器的頻率相依關係,因此頻率會提高。 第一個目的,也就是將最低頻率極點的頻率調低,可以用類似[[密勒效应]]條目中的作法。依照[[密勒定理]]中所述的程序,圖1的電路可以轉換為圖2的電路,兩者在電氣上是等效的。將[[基爾霍夫電路定律]]應用在圖2的輸入側,可以找到給理想運算放大器的電壓是信號電壓<math>\ v_a</math>的函數 ::<math> \frac {v_i} {v_a} = \frac {R_i} {R_i+R_A} \frac {1} {1+j \omega (C_M+C_i) (R_A\|R_i)} \ ,</math> 其{{le|滾降|roll-off}}從頻率''f<sub>1</sub>''開始 ::<math> \begin{align} f_{1} & = \frac {1} {2 \pi (C_M+C_i)(R_A\|R_i) } \\ & = \frac {1} {2 \pi \tau_1} \ , \\ \end{align} </math> 其中的<math>\tau_1</math>是最低極點的時間常數,比原始的時間常數要低,原始的時間常數對應''C<sub>C</sub>'' = 0 F時,是<math>\frac {1} {2 \pi C_i (R_A\|R_i)}</math>。 若考慮第二個目的,讓較高頻率的極點頻率再往上增加,需要看電路的輸出側,輸出側為整體增益增加了第二個因子,也有額外的頻率相依性,電壓<math>\ v_o</math>是由理想放大器的增益決定的 ::<math>\ v_o = A_v v_i \ . </math> 利用這個關係,再在輸出側應用基爾霍夫電路定律,可以得到負載電壓<math>v_{\ell}</math>相對於運算放大器輸入電壓<math>\ v_{i}</math>的函數: ::<math> \frac {v_{\ell}} {v_i} = A_v \frac {R_L} {R_L+R_o}\,\!</math><math>\sdot \frac {1+j \omega C_C R_o/A_v } {1+j \omega (C_L + C_C ) (R_o\|R_L) } \ . </math> 這個運算式可以結合輸入側電路的增益,得到整體增益是 ::<math> \frac {v_{\ell}} {v_a} = \frac {v_{\ell}}{v_i} \frac {v_i} {v_a} </math> :::<math>= A_v \frac {R_i} {R_i+R_A}\sdot \frac {R_L} {R_L+R_o}\,\! </math><math> \sdot \frac {1} {1+j \omega (C_M+C_i) (R_A\|R_i)} \,\! </math><math> \sdot \frac {1+j \omega C_C R_o/A_v } {1+j \omega (C_L + C_C ) (R_o\|R_L) } \ . </math> 增益公式中是一個單純的二階響應,有二個時間常數(其中也有一個零點,假設放大器增益''A<sub>v</sub>''很大的話,此零點只有在很高頻率才需要考慮,目前的討論可以假設分子是1)。不過,雖然放大器看似二極的行為,但這二個時間常數比上述的要複雜,因為密勒電容中有藏著一個頻率相依性,在較高頻時就需要考慮。假設輸出''R-C''乘積''C<sub>L</sub>'' ( ''R<sub>o</sub> || R<sub>L</sub>'' ),對應一個比低頻極點頻率要高很多的頻率。那麼密勒電容的值就不能用[[密勒效应#密勒近似|密勒近似]]的公式,需要用精確值。根據[[密勒定理]],密勒電容為 ::<math> \begin{align} C_M & = C_C \left( 1 - \frac {v_{\ell}} {v_i} \right) \\ & = C_C \left( 1 - A_v \frac {R_L} {R_L+R_o} \frac {1+j \omega C_C R_o/A_v } {1+j \omega (C_L + C_C ) (R_o\|R_L) } \right ) \ . \\ \end{align} </math> (針對一個正的密勒電容,''A<sub>v</sub>''為負值)。將此結果代入增益公式中,增益可以改寫如下: ::<math> \frac {v_{\ell}} {v_a} = A_v \frac {R_i} {R_i+R_A} \frac {R_L} {R_L+R_o} \frac {1+j \omega C_C R_o/A_v } {D_{ \omega }} \ , </math> 其中''D<sub>ω</sub>''是ω的二次式: ::<math>D_{ \omega }\,\!</math> <math> = [1+j \omega (C_L+C_C) (R_o\|R_L)] \,\!</math> <math> \sdot \ [ 1+j \omega C_i (R_A\|R_i)] \,\!</math> <math> \ +j \omega C_C (R_A\|R_i)\,\! </math> <math>\sdot \left( 1-A_v \frac {R_L} {R_L+R_O} \right) \,\!</math> <math>\ +(j \omega) ^2 C_C C_L (R_A\|R_i) (R_O\|R_L) \ . </math> 上述的二次式可以改寫如下: ::<math> \ D_{ \omega } =(1+j \omega { \tau}_1 )(1+j \omega { \tau}_2 ) </math> :::<math> = 1 + j \omega ( {\tau}_1+{\tau}_2) ) +(j \omega )^2 \tau_1 \tau_2 \ , \ </math> 其中<math>\tau_1</math> and <math>\tau_2</math>是''D<sub>ω</sub>''公式中結合了電阻和電容的值。<ref>時間常數的和是jω線性項的係數,時間常數的積是(jω)<sup>2</sup>平方項的係數</ref>。可以對應放大器二個極點的時間常數。其中一個是比較大,假設<math>\tau_1</math>是較大的時間常數,對應最低的極點,另外再假設<math>\tau_1</math> >> <math>\tau_2</math>(若要有良好的階躍響應,會需要<math>\tau_1</math> >> <math>\tau_2</math>,可以看以下的[[#如何選擇CC|如何選擇C<sub>C</sub>]]章節) 在放大器最低極點還低的頻段,ω的線性項比二次項影響更大,因此''D<sub>ω</sub>''的低頻特性為: ::<math> \begin{align} \ D_{ \omega } & = 1+ j \omega [(C_M+C_i) (R_A\|R_i) +(C_L+C_C) (R_o\|R_L)] \\ & = 1+j \omega ( \tau_1 + \tau_2) \approx 1 + j \omega \tau_1 \ , \ \\ \end{align} </math> 其中的''C<sub>M</sub>''會用[[密勒效应]]重新定義為 {{anchor|Miller}} ::<math> C_M= C_C \left( 1 - A_v \frac {R_L}{R_L+R_o} \right) \ ,</math> 就是之前低頻計算的密勒電容。以此基礎下,假設<math>\tau_1</math> >> <math>\tau_2</math>,可以確定<math>\tau_1</math>。因為''C<sub>M</sub>''很大,時間常數<math>{\tau}_1</math>遠大於其原始值''C<sub>i</sub>'' ( ''R<sub>A</sub> || R<sub>i</sub>'' ).<ref><math>\tau_1</math>的公式和一開始''f<sub>1</sub>''所得的( ''C<sub>M</sub>+C<sub>i</sub>'' ) ( ''R<sub>A</sub>'' || ''R<sub>i</sub>''有些不同,但假設負載電容沒有大到會控制低頻響應,其差異不大</ref> 在高頻時平方項影響較小,假設上述有關<math>\tau_1</math> 的結果有效,對應較高頻率的第二個時間常數,可以由''D<sub>ω</sub>''的二次項求得,為 ::<math> \tau_2 = \frac {\tau_1 \tau_2} {\tau_1} \approx \frac {\tau_1 \tau_2} {\tau_1 + \tau_2}\ . </math> 將平方項係數的公式代到<math>\tau_1 \tau_2 </math>,再加上 <math>\tau_1</math>的估計值,可以得到第二個極點的估計位置: ::<math> \begin{align} \tau_2 & = \frac {(C_C C_L +C_L C_i+C_i C_C)(R_A\|R_i) (R_O\|R_L) } {(C_M+C_i) (R_A\|R_i) +(C_L+C_C) (R_o\|R_L)} \\ & \approx \frac {C_C C_L +C_L C_i+C_i C_C} {C_M} (R_O\|R_L)\ , \\ \end{align} </math> 因為''C<sub>M</sub>''很大,<math>\tau_2</math>會比原來的值''C<sub>L</sub>'' ( ''R<sub>o</sub>'' || ''R<sub>L</sub>'' )要小,也就是說,較高頻率的極點其頻率會因為''C<sub>C</sub>''而提高.<ref>順帶提一下,高頻極點的頻率越高,在實際放大器中其他極點影響的可能性就越大</ref>。 簡單來說,導入''C<sub>C</sub>''降低低頻極點,提高高頻極點。因此符合「極點分離」字面上的意思。 === 如何選擇C<sub>C</sub> === [[File:Two-pole Bode magnitude plot.png|thumbnail|300px|圖3:二極點放大器設計的理想[[波德圖]]。第一個極點在''f<sub>1</sub>'',增益以20 dB / decade的斜率下降,第二點極點在''f<sub>2</sub>',增益以40 dB / decade的斜率下降]] 在一般的應用中,傳統放大器設計(稱為「主極點」或「單極點補償」)會要求放大器增益在轉角頻率處以20 dB/decade的斜率下降,降到0 dB增益,甚至更低<ref name=Sedra>{{cite book |author=A.S. Sedra and K.C. Smith |title=Microelectronic circuits |year=2004 |pages=849 and Example 8.6, p. 853 |publisher=Oxford University Press |edition=Fifth |location=New York |isbn=0-19-514251-9 |url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9 |access-date=2021-08-20 |archive-date=2009-02-04 |archive-url=https://web.archive.org/web/20090204145937/http://www.worldcat.org/isbn/0-19-514251-9 |dead-url=no }}</ref> <ref name=Huijsing> {{cite book |author=Huijsing, Johan H. |title=Operational amplifiers: theory and design |year= 2001 |pages=§6.2, pp.205–206 and Figure 6.2.1 |publisher=Kluwer Academic |location=Boston, MA |isbn= 0-7923-7284-0 |url=https://books.google.com/?id=tiuV_agzk_EC&pg=PA102&dq=isbn:0792372840#PPA206,M1}} </ref>。在此設計下,放大器會穩定,而且有近乎最佳的[[階躍響應]],類似增益為1的電壓緩衝器。而二極點補償是更冒險的作法<ref>Feucht, Dennis: [http://www.analogzone.com/col_0719.pdf ''Two-pole compensation''] {{Wayback|url=http://www.analogzone.com/col_0719.pdf |date=20210820142839 }}</ref><ref name=Self> {{cite book |author=Self, Douglas |title=Audio power amplifier design handbook |year= 2006 |pages=191–193 |publisher=Newnes |location=Oxford |isbn= 0-7506-8072-5 |url=https://books.google.com/?id=BRQZppvawWwC&pg=PA191&lpg=PA191&dq=%22two+pole+compensation%22#PPA191,M1}} </ref>。 在設計中選擇''f''<sub>2</sub>的方式如圖3所示。在最低極點''f''<sub>1</sub>處,波德增益圖開始以20 dB/decade的斜率下降。其目的是要維持20 dB/decade的下降斜率,一直到0dB為止,並且取20 log<sub>10</sub> ''A<sub>v</sub>''增益(以dB)表示的下降量,除以希望的頻率變化(在log頻率尺度上<ref>也就是說,frequency以是十的幂次為單位繪圖,例如1, 10, 10<sup>2</sup>等etc''</ref>),( log<sub>10</sub> ''f''<sub>2</sub> − log<sub>10</sub> ''f''<sub>1</sub> ) = log<sub>10</sub> ( ''f''<sub>2</sub> / ''f''<sub>1</sub> ),就是這段的斜率 ::斜率 <math>=20 \frac {\mathrm{log_{10}} ( A_v )} {\mathrm{log_{10}} (f_2 / f_1 ) } \ ,</math> 若''f<sub>2</sub> = A<sub>v</sub> f<sub>1</sub>'',上述的值會是是20 dB/decade。若''f<sub>2</sub>''沒有這麼大,波德圖的第二個轉折會發生在增益降到0 dB之前,這會讓穩定性變差,而且階躍響應也會不好。 圖3也說明了正確的增益和頻率的關係,第二個極點至少要是第一個極點的''A<sub>v</sub>''倍。此增益會因為放大器輸入和輸出的[[電壓分配定則]]而減少一點,因此要修正輸入和輸出電壓分配下的''A<sub>v</sub>'',使用良好階躍響應下的「極點—比例條件」(pole-ratio condition)可得: ::<math> \frac {\tau_1} {\tau_2} \approx A_v \frac {R_i} {R_i+R_A}\sdot \frac {R_L} {R_L+R_o} \ , </math> [[File:Compensation capacitance.png|thumbnail|350px|圖4:用[[Microsoft Excel]]繪出低頻率''C<sub>M</sub>''的密勒電容''C<sub>M</sub>''(上方)以及補償電容''C<sub>C</sub>''(下方) 和增益的函數關係,電容的單位是pF]] 利用上述時間常數的近似,可以得到 ::<math> \frac {\tau_1} {\tau_2} \approx \frac {(\tau_1 +\tau_2 ) ^2} {\tau_1 \tau_2} \approx A_v \frac {R_i} {R_i+R_A}\sdot \frac {R_L} {R_L+R_o} \ ,</math> 或 ::<math> \frac {[(C_M+C_i) (R_A\|R_i) +(C_L+C_C) (R_o\|R_L)]^2} {(C_C C_L +C_L C_i+C_i C_C)(R_A\|R_i) (R_O\|R_L) } \,\! </math> <math>{\color{White}\sdot} = A_v \frac {R_i} {R_i+R_A}\sdot \frac {R_L} {R_L+R_o} \ ,</math> 這是一個可以求得''C<sub>C</sub>''近似值的二次式。圖4是此式的圖形。在低增益時放大器在沒有補償時就滿足極點-增益條件(在圖中低增益時的補償電容器''C<sub>C</sub>''很小),但增益增加時,因為需要的極點增益快速上昇,補償電容器就越來越重要(在圖4時,補償電容器隨頻率迅速的增加)。若增益更大時,因為''C<sub>C</sub>''的密勒放大作用,會隨著增益而增加(可以參考密勒方程式),因此必要的''C<sub>C</sub>''會隨著增益增加而減少。 若考慮設計的不確定性,保留較多的安全預度,''A<sub>v</sub>''會設計成等式右邊''A<sub>v</sub>''值的兩倍或三倍<ref>二極點放大器設計中,係數2會得到最大平坦(maximally flat)或是[[巴特沃斯滤波器]]設計。不過實際的放大器不止二個極點,有必要讓係數大於2</ref>。可以參考Sansen<ref name=Sansen/>或Huijsing<ref name=Huijsing/>的參考資料<!-- and article on [[階躍響應]].--> ===迴轉率=== 上述都是小信號分析。不過若用在大信號時,因為補償電容器需要充電和放電,會對放大器的{{le|迴轉率|slew rate}}有不良的影響。而且因為需要為''C<sub>C</sub>''充電,會限制斜坡函數輸入下的響應。 == 相關條目 == * [[頻率補償]] * [[密勒效应]] * [[共源极]] * [[波德圖]] * [[步階響應]] * {{le|CMOS放大器|CMOS Amplifiers}} == 參考資料和腳註 == {{reflist}} [[Category:模拟电路]] [[Category:電子設計]]
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