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{{unreferenced|time=2012-01-22T13:35:24+00:00}} {{Expert|time=2012-01-23}} [[Image:Bulkbandstructure.gif|thumb|right|300px|Bulk Si,Ge,GaAs和InAs用[[紧束缚]]模型计算得到的[[能带结构]]. 有效质量大小:Si 〉GaAs 〉 Ge 〉 InAs]] '''有效质量'''(Effective mass),是用来方便引入[[经典力学]]的解决方法[[牛顿第二定律]]的一种近似。它近似认为[[电子]]受到[[原子核]]的[[周期性]][[势场]](这个势场和[[晶格]]周期相同)以及其他电子势场综合作用的结果。在[[数学]]处理上采用在能带极值点处用[[泰勒展开]],这样略去二阶以上项,就可以很好刻画。另外,有效质量与[[能带]]形状、位置有关。包括状态密度有效质量,和电导有效质量等。有效质量是一个很重要的概念,它把晶体中电子准经典运动的加速度与外力直接联系了起来。 带结构的二阶近似为: :<math>E(\mathbf k) = E_0 + \frac{\hbar^2 \mathbf k^2}{2 m^*}</math> :其中m*为有效质量 有效质量可以为负值,这是与惯性质量不同的。 {{DEFAULTSORT:Y}} [[Category:凝聚体物理学]] [[Category:質量]]
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