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{{Orphan|time=2023-02-11T10:28:17+00:00}}'''场限环'''（{{lang-en|'''Field Limiting Ring'''}}），是一种通过[[离子注入]]或[[扩散作用|扩散]]等方式，在平面结的主[[接面|结]]外围形成与主结极性相同、环状分布的杂质区，从而抑制主结边缘由曲率效应引起的电场集中，以分压的方式将电压逐渐降低，达到提高器件击穿电压的技术。场限环与主结以及其它电极并没有电接触，因此又称为'''浮空场限环'''。
==二维泊松方程==
当主结加反向电压时，主结与环结的电场与电位分布可用半导体表面的二维[[泊松方程]]求解：
:<math>
\left.\frac{\partial E_x}{\partial x} \right|_{x,y_s}  = \dfrac{q}{\epsilon_s} \left(N^- - \dfrac{\epsilon_s}{q} \left.\frac{\partial E_y}{\partial y}\right|_{x,y_s}  \right)
</math>

[[Category:電子學]]