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'''克劳修斯-莫索提方程式'''({{lang|en|Clausius-Mossotti equation}})表達了線性[[介電質]]的[[極化性]]和[[相對電容率]]之間的關係,是因義大利物理學者[[莫索提]]({{lang|it|Ottaviano-Fabrizio Mossotti}})和德國物理學者[[魯道夫·克勞修斯]]而命名<ref>O. F. Mossotti, Discussione analitica sull’influenza che l’azione di un mezzo dielettrico ha sulla distribuzione dell’elettricità alla superficie di più corpi elettrici disseminati in esso, Memorie di Mathematica e di Fisica della Società Italiana della Scienza Residente in Modena, vol. 24, p. 49-74 (1850)</ref><ref>R. Clausius, Abhandlungen über die mechanische Wärmetheorie, vol. 2, p. 143, Friedrich Vieweg und Sohn, Braunschweig (1867).</ref>。這方程式也可以更改為表達[[極化性]]和[[折射率]]之間的關係,此時稱為[[洛倫茲-洛倫茨方程式]]({{lang|en|Lorentz-Lorenz equation}})。 極化性是一種微觀屬性,而[[相對電容率]]則是在介電質內部的一種巨觀屬性,所以,這方程式式連結了介電質關於[[電極化]]的微觀屬性與巨觀屬性。 ==導引== 一個[[分子]]的極化性<math>\alpha</math>定義為<ref name="Griffiths1998">{{citation| author=Griffiths, David J.|title=Introduction to Electrodynamics (3rd ed.)| publisher=Prentice Hall |year=1998|pages = pp. 161 |isbn=0-13-805326-X}}</ref> :<math>\mathbf{p}\ \stackrel{def}{=}\ \alpha \mathbf{E} </math>; 其中,<math>\mathbf{p}</math>是分子的感應[[電偶極矩]],<math>\mathbf{E}</math>是作用於分子的[[電場]]。 [[介電質]]的[[電極化強度]]定義為總電偶極矩每單位面積: :<math>\mathbf{P}(\mathbf{r})\ \stackrel{def}{=}\ \sum_j N_j (\mathbf{r}) \mathbf{p}_j (\mathbf{r})</math>; 其中,<math>\mathbf{P}</math>是[[電極化強度]],<math>\mathbf{r}</math>是檢驗位置,<math>N_j</math>、<math>\mathbf{p}_j</math>分別是分子<math>j</math> 的數量每單位面積與電偶極矩。 總合介電質內每一種分子的貢獻,就可以計算出介電質的電極化強度。將極化性的定義式代入,可以得到 :<math>\mathbf{P}(\mathbf{r})= \sum_j N_j (\mathbf{r})\alpha_j \mathbf{E}(\mathbf{r})</math>。 當計算這方程式時,必需先知道在分子位置的電場,稱為「局域電場」<math>\mathbf{E}_{local}</math>。介電質內部的微觀電場,從一個位置到另外位置,其變化可能會相當劇烈,在[[電子]]或[[質子]]附近,電場很大,距離稍微遠一點,電場呈平方反比減弱。所以,很難計算這麼複雜的電場的物理行為。幸運地是,對於大多數計算,並不需要這麼詳細的描述。所以,只要選擇一個足夠大的區域(例如,體積為<math>V'</math>、內中含有上千個分子的圓球體<math>\mathbb{V}'</math>)來計算微觀電場<math>\mathbf{E}_{micro}</math>的平均值,稱為「巨觀電場」<math>\mathbf{E}_{macro}</math>,就可以足夠準確地計算出巨觀物理行為: :<math>\mathbf{E}_{macro}=\frac{1}{V'}\int_{\mathbb{V}'} \mathbf{E}_{micro}\ \mathrm{d}^3 r' </math>。 對於稀薄介電質,分子與分子之間的距離相隔很遠,鄰近分子的貢獻很小,局域電場可以近似為巨觀電場 <math>\mathbf{E}_{macro}</math>: :<math>\mathbf{E}_{local}\approx \mathbf{E}_{macro}</math>。 但對於緻密介電質,分子與分子之間的距離相隔很近,鄰近分子的貢獻很大,必需將鄰近分子的貢獻<math>\mathbf{E}_{1}</math>納入考量: :<math>\mathbf{E}_{local}= \mathbf{E}_{macro}+\mathbf{E}_{1}</math>。 因為巨觀電場已經包括了電極化所產生的電場(稱為「去極化場」)<math>\mathbf{E}_{p}</math>,為了不重覆計算,在計算<math>\mathbf{E}_{1}</math>時,必需將鄰近分子的真實貢獻<math>\mathbf{E}_{near}</math>減掉去極化場: :<math>\mathbf{E}_{1}=\mathbf{E}_{near} - \mathbf{E}_{p}</math>。 舉一個簡單案例,根據[[洛倫茲關係]]({{lang|en|Lorentz Relation}}),對於[[立方晶系]]結構的[[晶體]]或各向同性的介電質,由於高度的對稱性, <math>\mathbf{E}_{near}=0</math>。 現在思考以分子位置<math>\mathbf{r}</math>為圓心、體積為<math>V'</math>的圓球體<math>\mathbb{V}'</math>,感受到外電場的作用,<math>\mathbb{V}'</math>內部的束縛電荷會被電極化,從而產生電極化強度<math>\mathbf{P}</math>。假設在<math>\mathbb{V}'</math>內部的電極化強度<math>\mathbf{P}</math>相當均勻,則電極化強度<math>\mathbf{P}</math>與<math>\mathbb{V}'</math>的電偶極矩之間的關係為 :<math>\mathbf{p}=\mathbf{P}V'</math>。 這[[电偶极矩#範例:處於均勻外電場的介電質球|線性均勻介電質圓球體內部的電場]]為<ref name=Kittel2005>{{citation|last=Kittel|first=Charles|title=Introduction to Solid State Physics|publisher = John Wiley & Sons, Inc. |year=2005|location=USA|edition=8th|pages=pp. 460-465|isbn=978-0-471-41526-8}}</ref> :<math>\mathbf{E}_{p}= - \frac{\mathbf{P}}{3\epsilon_0} </math>。 綜合前面得到的結果: :<math>\mathbf{P}= \sum_j N_j\alpha_j ( \mathbf{E}_{macro}- \mathbf{E}_{p})= \sum_j N_j \alpha_j( \mathbf{E}_{macro}+\frac{\mathbf{P}}{3\epsilon_0})</math>。 對於[[各向同性]]、[[線性]]、均勻的介電質,電極化率<math>\chi_e</math>定義為 :<math>\mathbf{P}\ \stackrel{def}{=}\ \epsilon_0 \chi_e \mathbf{E}_{macro}</math>。 電極化率與極化性的關係為 :<math>\frac{\chi_e}{\chi_e+3}=\frac{1 }{3\epsilon_0 }\sum_j N_j \alpha_j</math>。 由於相對電容率<math>\epsilon_r</math>與電極化率的關係為 :<math>\epsilon_r=1+\chi_e</math>。 所以,電容率與極化性的關係為 :<math>\frac{\epsilon_r-1}{\epsilon_r+2}=\frac{1 }{3\epsilon_0 }\sum_j N_j \alpha_j</math>。 這方程式就是克劳修斯-莫索提方程式。 電介質的[[折射率]]<math>n</math>為 :<math>n=\sqrt{\epsilon_r\mu_r}\approx\sqrt{\epsilon_r}</math>; 其中,<math>\mu_r</math>是[[相對磁導率]]。 對於大多數介電質,<math>\mu_r=1</math>,所以,折射率近似為<math>n\approx\sqrt{\epsilon_r}</math> 。將折射率帶入克劳修斯-莫索提方程式,就可以給出洛倫茲-洛倫茨方程式<ref name="Feynman2006">{{citation|last = 費曼|first = 理查|authorlink = 理查·費曼|last2 = 雷頓|first2 = 羅伯|last3 = 山德士|first3 = 馬修|title = 費曼物理學講義II (4)電磁與物質|publisher =天下文化書|location =台灣|date = 2006|pages = pp. 177ff|isbn = 978-986-216-476-1 }}</ref>: :<math>\frac{n^2-1}{n^2+2}=\frac{1 }{3\epsilon_0 }\sum_j N_j \alpha_j</math>。 ==參考文獻== {{reflist}} {{DEFAULTSORT:K}} [[Category:電學]] [[Category:電介質]] [[Category:物質內的電場和磁場]]
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